[發(fā)明專(zhuān)利]連接條

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710770730.3
• 申請(qǐng)日: 2017-08-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108346644B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·波伊文;D·里斯圖伊尤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體（克洛爾2）公司;意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/528
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

本公開(kāi)涉及連接條電連接集成電路的分開(kāi)的電路區(qū)。連接條由主部形成，該主部是在待互連的分開(kāi)的電路區(qū)上方延伸的導(dǎo)電條帶。導(dǎo)體條帶通過(guò)除了位于待互連的電路區(qū)處之外的電介質(zhì)與集成電路分開(kāi)。連接條還包括作為從電路區(qū)到導(dǎo)電條帶的垂直方向上穿過(guò)電介質(zhì)的導(dǎo)電焊盤(pán)的次部。

本申請(qǐng)要求于2017年1月23日提交的法國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第1750540號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)整體引用而并入法律允許的最大范圍。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及集成電路領(lǐng)域，更具體地，涉及生產(chǎn)在集成電路的元件之間(例如在形成于薄絕緣體上硅(SOI)層中的多個(gè)晶體管的源極之間)形成電連接的連接條。

背景技術(shù)

SOI晶體管是體硅晶體管的替代品。SOI晶體管形成在通過(guò)一層絕緣體(通常是二氧化硅)與硅晶片分離的薄硅層中和上。

已經(jīng)觀察到，在許多情況下，其中連接條連接電路的多個(gè)元件的SOI集成電路包含缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

因此，一個(gè)實(shí)施例提供了一種連接條，其包括：主部，由導(dǎo)電條帶構(gòu)成，該導(dǎo)電條帶延伸到待互連的分開(kāi)的區(qū)域之上，除了待互連的區(qū)域之外，導(dǎo)電條帶通過(guò)電介質(zhì)與任何導(dǎo)體分開(kāi)；以及次部，由通過(guò)電介質(zhì)的第一導(dǎo)電焊盤(pán)形成，每個(gè)第一焊盤(pán)從一個(gè)區(qū)域垂直延伸以互連到導(dǎo)電條帶。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，待互連的區(qū)域是集成電路的晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，次部是類(lèi)似于用于連接晶體管的漏極或源極區(qū)的第二焊盤(pán)的第一焊盤(pán)，第一焊盤(pán)具有比第二焊盤(pán)更小的高度。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，導(dǎo)電條帶和導(dǎo)電焊盤(pán)由鎢制成。

一個(gè)實(shí)施例提供了用于制造連接條的工藝，其包括：a)形成在待互連的區(qū)域上方延伸的主腔，并通過(guò)電介質(zhì)與待互連的區(qū)域分開(kāi)；b)形成次腔，每個(gè)次腔從待互連的區(qū)域垂直延伸到主腔；和c)用導(dǎo)體填充主腔和次腔。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，步驟a)在步驟b)之前或之后進(jìn)行。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，步驟a)或步驟b)首先包括蝕刻該結(jié)構(gòu)的上絕緣體的步驟，然后包括用所述次腔的圖案蝕刻停止層的步驟。

一個(gè)實(shí)施例提供了一種包括至少一個(gè)連接條的集成電路，例如在前述實(shí)施例之一中所描述的。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種裝置包括：集成電路，包含待互連的分開(kāi)的第一電路區(qū)；以及連接條，由以下部分組成：主部，其由在所述分開(kāi)的第一電路區(qū)上方延伸的導(dǎo)電條帶形成，導(dǎo)電條帶通過(guò)除了位于待互連的分開(kāi)的第一電路區(qū)處之外的電介質(zhì)與集成電路分開(kāi)；以及次部，由通過(guò)電介質(zhì)的第一導(dǎo)電焊盤(pán)形成，每個(gè)第一導(dǎo)電焊盤(pán)從一個(gè)第一電路區(qū)垂直延伸至導(dǎo)電條帶。

附圖說(shuō)明

在以下對(duì)特定實(shí)施例的非限制性描述中詳細(xì)描述了這些特征和優(yōu)點(diǎn)以及其它特征，這些描述參考附圖給出，其中：

圖1是通過(guò)其源極連接的三個(gè)SOI晶體管的局部示意透視圖；

圖2A和圖2B是示出形成三個(gè)晶體管公共連接的步驟的截面圖；

圖3是連接條的一個(gè)實(shí)施例的部分示意性透視圖；

圖4A至圖4C是示出用于制造連接條的工藝的一個(gè)實(shí)施例的步驟的橫截面圖；和

圖5是示出用于制造連接條的工藝的另一實(shí)施例的步驟的橫截面圖。

具體實(shí)施方式

相同的元件在各圖中被相同的參考標(biāo)號(hào)引用，另外，并未按比例繪制各種示圖。為了清楚起見(jiàn)，僅示出了對(duì)所描述的實(shí)施例的理解有用的那些元件，并且是詳細(xì)示出。

在下文的描述中，當(dāng)提到諸如術(shù)語(yǔ)“前”、“上方”、“上”等的位置描述或諸如術(shù)語(yǔ)“垂直”等的定向描述時(shí)，所做的參考基于在圖中討論的元件的方位。