[發(fā)明專利]一種中空BiVO

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710770016.4
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107486213B
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬德琨;亞伯拉罕·安德樂;黃少銘
• 申請（專利權(quán)）人: 溫州大學
• 主分類號: B01J23/847
• 分類號: B01J23/847;B01J37/08;C02F1/30;C02F101/38;C02F101/36;C02F101/34
• 代理公司: 11350 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 湯東鳳

1.一種硼酸根離子摻雜與氧化鈷納米顆粒共修飾的中空BiVO₄微米片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1合成中空BiVO₄微米片：

1.1)將BiVO₄·5H₂O加入到稀硝酸溶液中，攪拌使其溶解，得到溶液A；

1.2)將NaVO₃與乙二胺四乙酸加入到NaOH溶液中，攪拌使其溶解，得到溶液B；

1.3)將溶液B加入到溶液A中得到混合溶液并調(diào)節(jié)pH至4.6-5；然后加入到反應釜中，180℃反應24h，產(chǎn)物經(jīng)水洗，烘干，即可得中空BiVO₄微米片；

S2制備硼酸根離子摻雜與氧化鈷納米顆粒共修飾的中空BiVO₄微米片：

2.1)將硝酸鈷和硼酸鈉，加入到乙醇與水的混合溶液中，攪拌使其溶解；

2.2)將步驟1.3)中制備得到的中空BiVO₄微米片加入到步驟2.1)中得到的溶解有硝酸鈷和硼酸鈉的乙醇與水的混合溶液中，蒸干，在氬氣氣氛中200℃煅燒24h，即得硼酸根離子摻雜與氧化鈷納米顆粒共修飾的中空BiVO₄微米片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硼酸根離子摻雜與氧化鈷納米顆粒共修飾的中空BiVO₄微米片的制備方法，其特征在于，步驟S1具體為：

1.1)將2mL的濃硝酸加入10mL的蒸餾水中稀釋后，再加入5mmol的BiVO₄·5H₂O，攪拌使其溶解，得到溶液A；

1.2)將5mmol的NaVO₃與1g的乙二胺四乙酸加入到8mL濃度為4mmol/L的NaOH溶液中，攪拌使其溶解，得到溶液B；

1.3)將溶液B加入到溶液A中，用4mmol/L NaOH溶液調(diào)節(jié)pH至4.6-5，然后加入到50mL的反應釜中，180℃反應24h，產(chǎn)物經(jīng)水洗，烘干，即可得中空BiVO₄微米片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硼酸根離子摻雜與氧化鈷納米顆粒共修飾的中空BiVO₄微米片的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體如下：

2.1)將10mg的硝酸鈷和10mg的硼酸鈉，溶解于20mL體積比為1:1的乙醇與水的混合溶液中；

2.2)將500mg步驟1.3)中制備得到的中空BiVO₄微米片加入步驟2.1)的混合溶液中，蒸干，在氬氣氣氛中200℃煅燒24h，即可得硼酸根離子摻雜與氧化鈷納米顆粒共修飾的中空BiVO₄微米片。

4.權(quán)利要求1所述硼酸根離子摻雜與氧化鈷納米顆粒共修飾的中空BiVO₄微米片的制備方法制備得到的硼酸根離子摻雜與氧化鈷納米顆粒共修飾的中空BiVO₄微米片在降解污染物中的應用。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的應用，其特征在于，硼酸根離子摻雜與氧化鈷納米顆粒共修飾的中空BiVO₄微米片在光催化降解染料羅丹明B中作為光催化劑。