[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710769657.8
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107799668B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 山崎舜平;佐藤將孝;保本清治;熊倉佳代;井戶尻悟
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 賈成功

1.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在襯底上形成第一材料層；

在包含含有氧或者氫和氧的雙方的氣體的氣氛下對所述第一材料層的表面進行等離子體處理，使得在所述第一材料層中形成金屬氧化物；

在進行所述等離子體處理后，在所述第一材料層上形成第二材料層；以及

使所述第一材料層與所述第二材料層彼此分離，

其中，在進行所述等離子體處理后，所述第一材料層包含金屬氧化物，

在所述分離步驟中，所述第一材料層包含含有氧或者氫和氧的雙方的氣體，

所述第二材料層包含樹脂，

并且，通過切斷氫鍵來使所述第一材料層與所述第二材料層彼此分離。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第一材料層以所述第一材料層與所述第二材料層的密接性低于所述第一材料層與所述襯底的密接性的方式形成。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第二材料層和所述含有氧或者氫和氧的雙方的氣體形成所述氫鍵。

4.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在襯底上形成第一材料層；

在所述第一材料層上形成第二材料層；

對層疊的所述第一材料層與所述第二材料層進行加熱；

使水析出在所述第一材料層與所述第二材料層的界面或所述界面附近；以及

使所述第一材料層與所述第二材料層彼此分離，

其中，所述第一材料層包含含有氫或氧或者氫和氧的雙方的氣體，

所述第二材料層包含樹脂，

并且，在使所述第一材料層與所述第二材料層彼此分離的步驟中，所述第一材料層與所述第二材料層間的密接性因存在于所述界面或所述界面附近的水而降低而使所述第一材料層與所述第二材料層彼此分離。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第一材料層以包含鈦、鉬、鋁、鎢、硅、銦、鋅、鎵、鉭和錫中的一個或多個的方式形成。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第一材料層以具有鈦與氧化鈦的疊層結構的方式形成。

7.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第二材料層以包括厚度為0.1μm以上且5μm以下的區域的方式形成。

8.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第二材料層以包括由式(100)表示的化合物的殘基的方式形成：

9.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中邊對分離界面供應液體邊進行所述使所述第一材料層與所述第二材料層彼此分離的步驟。

10.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，

其中形成所述第一材料層的步驟包括如下步驟：

在所述襯底上形成金屬層；以及

在將所述金屬層形成在所述襯底上之后，對所述金屬層的表面進行等離子體處理來形成金屬氧化物層。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其中在所述等離子體處理中，將所述金屬層的表面暴露于包含氧氣體或水蒸氣或者氧氣體和水蒸氣的雙方的氣氛。

12.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在襯底上形成金屬氧化物層；

在所述金屬氧化物層上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層；

通過對所述第一層進行加熱處理來形成樹脂層；以及

使所述金屬氧化物層與所述樹脂層彼此分離，

其中，形成所述金屬氧化物層的步驟包括如下步驟：

在所述襯底上形成金屬層；以及

在包含含有氧或者氫和氧的雙方的氣體的氣氛下對所述金屬層的表面進行等離子體處理。