[發明專利]雙極型晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201710769561.1
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN108206136B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 梅本康成;小屋茂樹;黑川敦
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/737
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

本發明涉及雙極型晶體管及其制造方法。同時實現雙極型晶體管的集電極電阻的降低和基極?集電極間電容的降低。雙極型晶體管(100)具備將集電極層(3)、基極層(4)以及發射極層(5)依次層疊于子集電極層(2)的構造。在子集電極層(2)形成有集電極電極(9)。在基極層(4)形成有基極電極(10)。集電極層(3)具備配置為從子集電極層側朝向基極層側雜質濃度減少的多個雜質層(31、32、33、34)。雜質層(31)是多個雜質層(31、32、33、34)中雜質濃度最大的雜質層，并且與子集電極層(2)接觸。雜質層(31)的薄膜電阻是子集電極層(2)的薄膜電阻的9倍以下。

技術領域

本發明涉及雙極型晶體管及其制造方法。

背景技術

近年來，作為構成移動通信終端的高頻放大器模塊的晶體管主要使用異質結型的雙極型晶體管(以下稱為HBT)。作為對HBT要求的特性，一般可以列舉出高效率、高增益、高耐壓(高負載變動耐壓)以及高輸出等各種特性。對于第二代移動電話來說，雖然依舊處于對具有高負載變動耐壓的HBT有強烈需求的狀況，但除此之外，最近也處于追求進一步的高輸出化的狀況中。此外，對于第三代和第四代的移動電話來說，雖然對具有高附加效率的HBT的需求較高，但進一步也在追求在高效率且高增益的同時達到高輸出。這樣，最近可以說對具有高輸出的HBT的需求進一步增強了。

作為提及這種HBT的結構的文獻，已知有日本特開2006-60221號公報以及日本特開2008-130586號公報。這些文獻所記載的HBT具有在基板上依次形成有如下部件的構造：作為n型集電極區域發揮功能的子集電極層和集電極層、作為p型基極區域發揮功能的基極層以及作為n型發射極區域發揮功能的發射極層。集電極層具有層疊多個雜質層的構造，各雜質層的施主雜質濃度被調整為從子集電極層側朝向基極層側逐漸減少。將發射極區域中流過實質的發射極電流的區域稱為本征發射極區域。由于在基極區域、集電極區域，電流也流過本征發射極區域的正下方的各區域，所以將本征發射極區域與其正下方的基極區域以及集電極區域稱作本征HBT。

日本特開2006-60221號公報的圖1A所記載的HBT的集電極層從接近子集電極層的一側開始依次具有第一n型雜質層、第二n型雜質層以及第三n型雜質層。第一n型雜質層具有7×10¹⁶cm^-3以上10×10¹⁶cm^-3以下的雜質濃度和200nm以上400nm以下的厚度。第二n型雜質層具有4×10¹⁶cm^-3以上7×10¹⁶cm^-3以下的雜質濃度和200nm以上400nm以下的厚度。第三n型雜質層具有0.5×10¹⁶cm^-3以上4×10¹⁶cm^-3以下的雜質濃度和100nm以上500nm以下的厚度。子集電極層具有4×10¹⁸cm^-3的雜質濃度和400nm的厚度。