[發明專利]一種降低阻變存儲器形成電壓的電形成方法

有效

• 申請號: 201710769267.0
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107610733B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 薛堪豪;蘇海磊;繆向水;孫華軍;李祎;何維凡
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;H01L45/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 廖盈春;李智

1.一種降低阻變存儲器形成電壓的電形成方法，其特征在于，所述阻變存儲器包括依次排列的活性電極、氧化物層以及惰性電極，包括如下步驟：

S1對所述阻變存儲器施加正向電壓，在所述阻變存儲器中形成由所述活性電極指向所述惰性電極電場；促使氧離子向活性電極的移動，在氧化物層中產生部分帶電的氧空位；

S2對所述阻變存儲器施加反向電壓，在所述阻變存儲器中形成由所述惰性電極指向所述活性電極電場；促使電子躍過活性電極的界面勢壘，中和氧化物層中的帶電氧空位，在靠近活性電極與氧化物層界面的氧化物層形成中性氧空位，實現中性氧空位積累；

S3判斷所述阻變存儲器的電流是否出現躍遷，若是，在所述氧化物層中形成導電絲，電形成過程完成，否則進入步驟S1；

其中，所述正向電壓小于正常形成電壓，所述正向電壓大于所述反向電壓；所述正常形成電壓通過向阻變存儲器施加電壓在阻變存儲器中形成由活性電極指向惰性電極電場使得阻變存儲器軟擊穿獲得。

2.如權利要求1所述的電形成方法，其特征在于，所述步驟S1中對所述阻變存儲器施加所述正向電壓通過對所述活性電極施加正電壓同時使所述惰性電極接地實現或通過對所述惰性電極施加負電壓同時使所述活性電極接地實現。

3.如權利要求1或2所述的電形成方法，其特征在于，所述步驟S2中對所述阻變存儲器施加所述反向電壓通過對所述活性電極施加負電壓同時使所述惰性電極接地實現或通過對所述惰性電極施加正電壓同時使所述活性電極接地實現。

4.如權利要求1或2所述的電形成方法，其特征在于，所述阻變存儲器為沒有進行過任何電學測試的阻變存儲器，且所述阻變存儲器的電阻是制備后的初始狀態電阻。

5.如權利要求1或2所述的電形成方法，其特征在于，所述反向電壓根據阻變存儲器的材料以及制備工藝確定。

6.如權利要求1或2所述的電形成方法，其特征在于，在所述阻變存儲器電形成過程中，所述阻變存儲器兩極電壓波形為交流形式電壓波形。