[發(fā)明專利]一種金屬埋層高散熱GaN二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710768045.7
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107634104B
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張敬偉;袁俊;李百泉;楊永江;孫安信;耿偉
• 申請（專利權(quán)）人: 北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/329
• 代理公司: 北京中創(chuàng)陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11003
• 代理人: 尹振啟

1.一種金屬埋層高散熱GaN二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述GaN二極管結(jié)構(gòu)的GaN外延層與襯底之間設(shè)置有金屬埋層，所述金屬埋層為三層金屬導(dǎo)熱層；從所述GaN外延層表面到所述襯底一側(cè)的表面三層所述金屬導(dǎo)熱層依次為第一金屬導(dǎo)熱層、第二金屬導(dǎo)熱層、第三金屬導(dǎo)熱層，所述襯底的另一側(cè)設(shè)置導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，所述GaN外延層被刻蝕到所述第一金屬導(dǎo)熱層表面后，導(dǎo)熱金屬連接所述第一金屬導(dǎo)熱層和所述導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬埋層高散熱GaN二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述三層金屬導(dǎo)熱層從上之下依次為Ag層、In層和Ag層；或者Au層、In層和Au層；或者Au層、In層和Ag層。

3.一種權(quán)利要求1-2任一所述的金屬埋層高散熱GaN二極管結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

1)在襯底上通過外延的方式得到GaN外延層；

2)在所述GaN外延層表面依次蒸鍍第一金屬導(dǎo)熱層和第二金屬導(dǎo)熱層，標記為材料一；

3)選取另一襯底，在該襯底的表面蒸鍍第三金屬導(dǎo)熱層，標記為材料二；

4)通過Bonding設(shè)備將所述材料一和所述材料二的金屬面相對粘附在一起形成新結(jié)構(gòu)；

5)將材料二的襯底通過光刻膠保護的方式保護起來，然后在專用的襯底材料的腐蝕液中將材料一的襯底材料腐蝕干凈，露出GaN外延層；

6)通過刻蝕GaN外延層到所述第一金屬導(dǎo)熱層的表面，之后通過導(dǎo)熱金屬連接到襯底的導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)上形成新的具有金屬埋層的高散熱GaN二極管結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬導(dǎo)熱層、第二金屬導(dǎo)熱層以及第三金屬導(dǎo)熱層分別為Ag層、In層和Ag層；或者Au層、In層和Au層；或者Au層、In層和Ag層。