[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710766837.0
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN108206206B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 上杉謙次郎;彥坂年輝;布上真也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 于麗

本發明涉及半導體裝置及其制造方法，提供能夠提高性能的半導體裝置的制造方法。根據實施方式，半導體裝置的制造方法包括：通過使用了包含第1元素的氣體的干法蝕刻去除設置于包含Al_x1Ga_1－x1N(0≤x11)的第1膜之上的包含Al_x2Ga_1－x2N(0x21，x1x2)的第2膜的一部分，形成槽，使第1膜的一部分在槽的底部露出。制造方法包括：使露出的第1膜的一部分與包含NH₃的氣氛接觸來進行熱處理。制造方法包括：在熱處理之后在第1膜的一部分之上形成絕緣膜。制造方法包括：在絕緣膜之上形成電極。絕緣膜具有從第1膜的一部分朝向電極的第1方向上的中央的第1位置，第1位置處的所述第1元素的濃度為1×10¹⁸cm^?3以下。

本申請以日本發明專利申請2016-245741(申請日2016年12月19日)為基礎，根據該申請享受優先權。本申請通過參照該申請，從而包含同申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及半導體裝置及其制造方法。

背景技術

例如，在半導體裝置中，期望穩定的工作。

發明內容

本發明的實施方式提供能夠提高工作穩定性的半導體裝置及其制造方法。

根據實施方式，半導體裝置包括：第1電極、第2電極、第3電極、Al_x1Ga_1－x1N(0≤x11)的第1半導體區域、Al_x2Ga_1－x2N(0x21，x1x2)的第2半導體區域、Al_x3Ga_1－x3N(0x31，x2x3)的第3半導體區域、Al_x4Ga_1－x4N(0x41，x2x4)的第4半導體區域以及Al_x5Ga_1－x5N(0≤x5x2)或者In_y1Ga_1－y1N(0≤y11)的第5半導體區域。所述第1電極包括第1導電區域。所述第2電極包括第2導電區域。所述第2導電區域在第1方向上與所述第1導電區域分離。所述第3電極包括第3導電區域。所述第1方向上的所述第3導電區域的第3位置處于所述第1方向上的所述第1導電區域的第1位置與所述第1方向上的所述第2導電區域的第2位置之間。所述第1半導體區域在與所述第1方向交叉的第2方向上，與所述第1導電區域、所述第2導電區域以及所述第3導電區域分離。所述第2半導體區域在所述第2方向上，設置于所述第1導電區域與所述第1半導體區域之間、所述第2導電區域與所述第1半導體區域之間以及所述第3導電區域與所述第1半導體區域之間。所述第3半導體區域在所述第2方向上，設置在所述第1導電區域與所述第2半導體區域之間。所述第4半導體區域在所述第2方向上，設置在所述第2導電區域與所述第2半導體區域之間。所述第5半導體區域在所述第2方向上設置在所述第3導電區域與所述第2半導體區域之間，在所述第1方向上設置在所述第3半導體區域與所述第4半導體區域之間。

根據本發明的其它實施方式，提供一種半導體裝置的制造方法，

在Al_x1Ga_1－x1N(0≤x11)的第1半導體膜之上形成Al_x2Ga_1－x2N(0x21，x1x2)的第2半導體膜，

在所述第2半導體區域之上形成Al_x5Ga_1－x5N(0≤x5x2)或者In_y1Ga_1－y1N(0≤y11)的中間半導體膜，所述中間半導體膜包括第1中間區域、第2中間區域以及第3中間區域，所述第3中間區域處于所述第1中間區域與第2中間區域之間，

在所述第3中間區域之上形成掩模，去除所述第1中間區域以及所述第2中間區域，使所述第2半導體膜的一部分露出，