[發(fā)明專利]一種中子探測器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710766587.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107741600A | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葛良全;曾國強(qiáng);郭生良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都新核泰科科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01T3/00 | 分類號(hào): | G01T3/00 |
| 代理公司: | 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙)51223 | 代理人: | 梁菊蘭 |
| 地址: | 610052 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 中子 探測器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及輻射檢測儀技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種中子探測器。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中,中子探測器一般采用核反應(yīng)法進(jìn)行探測,但是,這種探測方式受到環(huán)境的局限,無法隨時(shí)隨地進(jìn)行探測。
因此,現(xiàn)有的中子探測器無法有效實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)探測的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種中子探測器,解決了現(xiàn)有技術(shù)中中子探測器無法有效實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)探測的技術(shù)問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:
一種中子探測器,包括:
入射窗、探測單元、處理單元;
探測單元包括多層疊置探測頭、平行設(shè)置探測通道,相鄰的探測通道之間通過氣體通道連通,每條探測通道內(nèi)設(shè)置電極,用于施加正電壓,用于對(duì)中子引起的電離信號(hào)進(jìn)行放大并輸出放大后的電信號(hào);
所述探測頭包括順次連接的屏蔽外殼、中子探測元件、光導(dǎo)體。光電轉(zhuǎn)換和電荷靈敏前置放大電路;
所述處理器包括順次連接的放大器、甄別器、技術(shù)器、控制器和顯示器。
進(jìn)一步地,所述氣體通道內(nèi)充有三氟化硼氣體。
進(jìn)一步地,所述探測通道壁厚為0.5~1mm。
本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況:
本發(fā)明采用多層疊置的探測頭、平行設(shè)置的探測通道,相鄰的探測通道之間通過氣體通道連通,每條探測通道內(nèi)設(shè)置電極,用于施加正電壓,對(duì)中子引起的電離信號(hào)進(jìn)行放大并輸出放大后的電信號(hào),其中,該探測頭采用屏蔽外殼、中子探測元件、光導(dǎo)體、光電轉(zhuǎn)換和電荷靈敏前置放大電路,處理模塊采用順次連接的放大器、甄別器、計(jì)數(shù)器、控制器和顯示器,從而能夠?qū)崟r(shí)進(jìn)行探測,不受環(huán)境的約束。
附圖說明
圖1是本發(fā)明實(shí)施例中中子探測器的模塊示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了一種中子探測器,解決了現(xiàn)有技術(shù)中中子探測器無法有效實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)探測的技術(shù)問題。
為了解決上述技術(shù)問題,下面結(jié)合說明書附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種中子探測器,包括:入射窗10、探測單元20、處理單元30;
探測單元20包括多層疊置探測頭201、平行設(shè)置探測通道202,相鄰的探測通道202之間通過氣體通道203連通,每條探測通道202內(nèi)設(shè)置電極204,用于施加正電壓,用于對(duì)中子引起的電離信號(hào)進(jìn)行放大并輸出放大后的電信號(hào);該探測頭201包括順次連接的屏蔽外殼、中子探測元件、光導(dǎo)體、光電轉(zhuǎn)換和電荷靈敏前置放大電路;該處理模塊30包括順次連接的放大器301、甄別器302、計(jì)數(shù)器303、控制器304和顯示器305。
在具體的實(shí)施方式中,該氣體通道203內(nèi)充有三氟化硼氣體。當(dāng)探測到的中子穿過入射窗進(jìn)入探測單元之后,由于該探測通道內(nèi)的氣體與中子發(fā)生反應(yīng),產(chǎn)生帶點(diǎn)的粒子,從而在施加電壓時(shí),使得該帶電粒子產(chǎn)生電離信號(hào)放大并輸出。
該探測通道壁厚為0.5~1mm。用于滿足探測的需求。
采用上述的技術(shù)方案能夠?qū)崟r(shí)對(duì)中子進(jìn)行探測,不受環(huán)境的影響。
以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
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