[發明專利]有機發光二極管的制備方法有效
| 申請號: | 201710765645.8 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN109428009B | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發明(設計)人: | 寧文;柳鵬;姜開利;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50;B82Y30/00 |
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| 地址: | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 制備 方法 | ||
1.一種有機發光二極管的制備方法,包括以下步驟:
提供一第一碳納米管復合結構,該第一碳納米管復合結構具有相對的第一表面和第二表面,該第一碳納米管復合結構包括聚合物和分散在該聚合物中的多個第一碳納米管,該多個第一碳納米管的長度方向從所述第一表面延伸至所述第二表面,至少一個碳納米管具有相對的第一端和第二端;所述第一碳納米管復合結構的制備方法包括以下步驟:
提供一第二碳納米管復合結構,該第二碳納米管復合結構具有相對的第三表面和第四表面,第三表面至第四表面之間的垂直距離為所述第二碳納米管復合結構的厚度,該第二碳納米管復合結構包括所述聚合物和分散在該聚合物中的多個第二碳納米管,所有第二碳納米管的長度延伸方向垂直于所述第二碳納米管復合結構的厚度方向;以及
沿著從第三表面至第四表面的方向將所述第二碳納米管復合結構截斷;
提供一預制結構,該預制結構包括一支撐體、一陽極電極、一空穴傳輸層和一有機發光層依次層疊設置;
將所述第一碳納米管復合結構和所述預制結構層疊設置,且所述第一碳納米管復合結構的第一表面與所述有機發光層直接接觸;以及
在所述第一碳納米管復合結構的第二表面設置一陰極電極,所述第一端與所述有機發光層直接接觸,所述第二端與所述陰極電極直接接觸。
2.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,沿著所述第二碳納米管復合結構的厚度方向將所述碳納米管復合結構截斷。
3.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述第二碳納米管復合結構的制備方法包括以下步驟:
提供一基底,該基底具有一表面;
將一碳納米管結構設置在所述表面上,該碳納米管結構包括所述多個第一碳納米管;
將一單體溶液涂覆在所述碳納米管結構上,該單體溶液由一單體溶于一有機溶劑中形成;
使所述單體聚合;以及
去除所述基底。
4.如權利要求3所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,相鄰第一碳納米管之間具有間隙,在涂覆所述單體溶液的過程中,該單體溶液通過所述間隙滲透至所述基底的表面。
5.如權利要求3所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述多個第一碳納米管與所述基底的表面直接接觸且平行于該基底的表面。
6.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述多個第一碳納米管的長度方向垂直于所述第一表面。
7.如權利要求6所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,每一個第一碳納米管具有相對的兩端,一端與所述有機發光層直接接觸,另一端與所述陰極電極直接接觸。
8.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述多個第一碳納米管相互平行且間隔設置。
9.一種有機發光二極管的制備方法,包括以下步驟:
提供一第一碳納米管復合結構,該第一碳納米管復合結構具有相對的第一表面和第二表面,該第一碳納米管復合結構包括聚合物和分散在該聚合物中的多個第一碳納米管,該多個第一碳納米管的長度方向從所述第一表面延伸至所述第二表面,至少一個碳納米管具有相對的第一端和第二端;所述第一碳納米管復合結構的制備方法包括以下步驟:
提供一第二碳納米管復合結構,該第二碳納米管復合結構具有相對的第三表面和第四表面,第三表面至第四表面之間的垂直距離定義為所述第二碳納米管復合結構的厚度,該第二碳納米管復合結構包括所述聚合物和分散在該聚合物中的多個第二碳納米管,所有第二碳納米管的延伸方向垂直于所述第二碳納米管復合結構的厚度方向;以及
沿著從第三表面至第四表面的方向將所述第二碳納米管復合結構截斷;
在所述第一碳納米管復合結構的第二表面設置一陰極電極;
提供一預制結構,該預制結構包括一支撐體、一陽極電極、一空穴傳輸層和一有機發光層依次層疊設置;以及
將所述第一碳納米管復合結構和所述預制結構層疊設置,且所述第一碳納米管復合結構的第一表面與所述有機發光層直接接觸,所述第一端與所述有機發光層直接接觸,所述第二端與所述陰極電極直接接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





