[發明專利]一種大功率整流管芯的制造方法

有效

• 申請號: 201710765588.3
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN109427581B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 王東東;王政英;劉銳鳴;劉芹;朱為為;唐革;姚震洋;高軍;鄒昌
• 申請（專利權）人: 株洲中車時代半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;張杰

1.一種大功率整流管芯的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

鋁雜質擴散步驟，對N型晶圓片的陽極面和陰極面進行鋁雜質擴散；

第一化學腐蝕步驟，對通過所述鋁雜質擴散步驟得到的晶圓片進行化學腐蝕，以去除該晶圓片陰極面的鋁雜質并保留該晶圓片陽極面的鋁雜質；

第一氧化步驟，對通過所述第一化學腐蝕步驟得到的晶圓片的陽極面和陰極面進行氧化；

第二化學腐蝕步驟，對通過所述第一氧化步驟得到的晶圓片進行化學腐蝕，以去除該晶圓片陰極面的氧化層并保留該晶圓片陽極面的氧化層；

磷雜質擴散步驟，對通過所述第二化學腐蝕步驟得到的晶圓片的陰極面進行磷雜質擴散，并在所述磷雜質擴散后去除該晶圓片陽極面的氧化層；

第二氧化步驟，對通過所述磷雜質擴散步驟得到的晶圓片的陽極面和陰極面進行氧化；

第三化學腐蝕步驟，對通過所述第二氧化步驟得到的晶圓片進行化學腐蝕，以去除該晶圓片陽極面的氧化層并保留該晶圓片陰極面的氧化層；

硼雜質擴散步驟，對通過所述第三化學腐蝕步驟得到的晶圓片的陽極面進行硼雜質擴散，并在所述硼雜質擴散后去除該晶圓片陰極面的氧化層，得到大功率整流管芯；

其中，所述第一化學腐蝕步驟包括以下子步驟：第一貼緊子步驟，將兩片通過所述鋁雜質擴散步驟得到的晶圓片的陽極面貼緊；第一放置子步驟，將貼緊的兩個晶圓片放置于刻蝕裝置的兩個夾片環之間；第一夾緊子步驟，利用所述刻蝕裝置的夾具夾緊所述夾片環，以使所述夾片環中的兩個所述晶圓片進一步貼緊；第一腐蝕子步驟，將夾緊的內置有兩個所述晶圓片的所述夾片環放置于腐蝕液中進行化學腐蝕，以去除晶圓片陰極面的鋁雜質并保留晶圓片陽極面的鋁雜質。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一腐蝕子步驟中，腐蝕液通過所述夾片環的進液槽注入所述夾片環，對所述夾片環中的兩個所述晶圓片進行化學腐蝕，以去除晶圓片陰極面的鋁雜質并保留晶圓片陽極面的鋁雜質。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一貼緊子步驟中，將兩個通過所述鋁雜質擴散步驟得到的晶圓片的陽極面貼在一起后浸水，以便利用水的張力使兩個所述晶圓片貼緊。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二化學腐蝕步驟包括以下子步驟：

第二貼緊子步驟，將兩片通過所述第一氧化步驟得到的晶圓片的陽極面貼緊；

第二放置子步驟，將貼緊的兩個晶圓片放置于刻蝕裝置的兩個夾片環之間；

第二夾緊子步驟，利用所述刻蝕裝置的夾具夾緊所述夾片環，以使所述夾片環中的兩個所述晶圓片進一步貼緊；

第二腐蝕子步驟，將夾緊的內置有兩個所述晶圓片的所述夾片環放置于腐蝕液中進行化學腐蝕，以去除晶圓片陰極面的氧化層并保留晶圓片陽極面的氧化層。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第二腐蝕子步驟中，腐蝕液通過所述夾片環的進液槽注入所述夾片環，對所述夾片環中的兩個所述晶圓片進行化學腐蝕，以去除晶圓片陰極面的氧化層并保留晶圓片陽極面的氧化層。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第二貼緊子步驟中，將兩個通過所述第一氧化步驟得到的晶圓片的陽極面貼在一起后浸水，以便利用水的張力使兩個所述晶圓片貼緊。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第三化學腐蝕步驟包括以下子步驟：

第三貼緊子步驟，將兩片通過所述第二氧化步驟得到的晶圓片的陰極面貼緊；

第三放置子步驟，將貼緊的兩個晶圓片放置于刻蝕裝置的兩個夾片環之間；

第三夾緊子步驟，利用所述刻蝕裝置的夾具夾緊所述夾片環，以使所述夾片環中的兩個所述晶圓片進一步貼緊；

第三腐蝕子步驟，將夾緊的內置有兩個所述晶圓片的所述夾片環放置于腐蝕液中進行化學腐蝕，以去除晶圓片陽極面的氧化層并保留晶圓片陰極面的氧化層。