[發明專利]一種半導體激光器驅動裝置在審
| 申請號: | 201710764551.9 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN107482472A | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 鄭國軍 | 申請(專利權)人: | 上海脈澤光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/042 | 分類號: | H01S5/042 |
| 代理公司: | 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙)33260 | 代理人: | 龔玉平 |
| 地址: | 321016 浙江省金*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體激光器 驅動 裝置 | ||
1.一種半導體激光器驅動裝置,其特征在于,包括設有加速電路的驅動回路和由瞬時大電流放電回路構成的開關電路;所述驅動回路包括前置放大的MOS管M1以及信號輸出的MOS管M2,并設有加速電路;所述開關電路包括作為開關和功率輸出的MOS管M3以及瞬時大電流放電回路;
所述驅動回路由上述的MOS管M1、MOS管M2,以及電容C1、電阻R1、電阻R2組成,MOS管M1的柵極為輸入端,MOS管M1的漏極與電阻R1以及MOS管M2的柵極相連接,用于放大信號去驅動MOS管M2,MOS管M1的源極接地,MOS管M2的源極接電源,MOS管M2的漏極作為驅動回路的輸出端,其與電阻R2的一端相連接,并且與MOS管M3的柵極連接,以輸出驅動信號,用于進一步放大驅動信號提高驅動能力,電阻R2的另一端接地;
所述開關電路由電容C2、MOS管M3、二極管D1以及電阻R3組成;電容C2作為儲能元件,其一端與MOS管M3的漏極相連接,另一端與二極管D1相連接,用于產生驅動半導體激光器所需的瞬時大電流;MOS管M3的柵極與驅動回路的輸出端相連,MOS管M3的源極接地且與二極管D1的另一端相連接,作為放電回路的開關,作為MOS管M3負載的電阻R3,其一端與MOS管M3的漏極相連接,另一端與電源連接;當MOS管M3導通時,放電回路工作,當MOS管截止時,放電回路停止工作;
所述加速電路由電容C1構成,當MOS管M2導通后電容C1迅速向MOS管M3柵極的結電容充電,提高了MOS管M3的導通速度從而提高了驅動能力;
電容C1的作用過程描述如下:當沒有觸發信號時,也就是INPUT為低電平時,MOS管M1、MOS管M2都處于截止狀態,此時,C1的電壓等于電源電壓VD,處于儲能狀態;當有觸發信號時,即INPUT為高電平時,MOS管M1導通,進而觸發MOS管M2導通;MOS管M2導通后MOS管M3柵極電壓降從0上升到VD,MOS管柵極存在結電容,電容C1儲存的電量對結電容充電,由于電容C1的容量遠大于MOS管M3的結電容容量,結電容瞬間即可被電容C1的電量充滿,對應MOS管M3柵極電壓上升的速度要遠高于沒有電容C1的情況。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器驅動裝置,其特征在于,所述瞬時大電流放電回路中,電容C2為NPO電容,MOS管M3為低內阻的高速功率管MOS管。
3.根據權利要求2所述的半導體激光器驅動裝置,其特征在于,所述低內阻的高速功率MOS管M3的型號為DTS6400。
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