[發明專利]一種抗大電壓氧化硅阻變薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201710764060.4 | 申請日： | 2017-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN107634139B | 公開（公告）日： | 2020-01-14 |
| 發明（設計）人： | 李穎;趙高揚;朱瑞;張虎 | 申請（專利權）人： | 西安理工大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 61214 西安弘理專利事務所 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 抗大 電壓 氧化 硅阻變 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種抗大電壓氧化硅阻變薄膜的制備方法，其特征在于，具體按照以下步驟實施：
步驟1，以碳納米管粉末為溶質，無水乙醇為溶劑，制備濃度為10-5g/ml的碳納米管溶液，并對制備出的碳納米管溶液進行超聲清洗；
步驟2，按照1:1-20:0.01-0.05：0.5-1的質量比分別稱取正硅酸乙酯、無水乙醇、蒸餾水和稀鹽酸，將稱取的正硅酸乙酯、無水乙醇、蒸餾水和稀鹽酸混合均勻后，得到氧化硅溶液；
步驟3，按照0.5-1：20的體積比分別量取經步驟1得到的碳納米管溶液和經步驟2得到的氧化硅溶液，將量取后的碳納米管溶液和氧化硅溶液放入密封容器中攪拌均勻，得到摻雜碳納米管的氧化硅溶液；
步驟4，選取基板，將基板置于經步驟3得到的摻雜碳納米管的氧化硅溶液中，并采用浸漬提拉法在其表面提拉一層凝膠薄膜；
步驟5，將經步驟4得到的基板放入管式爐中，對凝膠薄膜進行退火處理，之后在空氣中自然冷卻，最終得到抗大電壓氧化硅阻變薄膜。
2.根據權利要求1所述的抗大電壓氧化硅阻變薄膜的制備方法，其特征在于，在所述步驟1中：進行所述超聲清洗的時間為30min。
4.根據權利要求1所述的抗大電壓氧化硅阻變薄膜的制備方法，其特征在于，在所述步驟5中：所述退火處理的溫度為700℃。
5.根據權利要求4所述的抗大電壓氧化硅阻變薄膜的制備方法，其特征在于，在所述步驟5中：所述退火處理的時間為20min-25min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安理工大學，未經西安理工大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710764060.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
