[發明專利]一種摻雜碳納米管的氧化硅阻變薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201710764056.8
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107663633B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 李穎;趙高揚;劉晉成;張虎
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: C23C18/12
• 分類號: C23C18/12;H01L45/00
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 李娜

1.一種摻雜碳納米管的氧化硅阻變薄膜的制備方法，其特征在于，具體按照以下步驟實施：

步驟1，以碳納米管粉末為溶質，無水乙醇為溶劑，制備濃度為10^-5g/mL的碳納米管溶液；

步驟2，按照20:0.5-1的體積比分別量取氧化硅溶膠、經步驟1制備得到的碳納米管溶液，將量取后的氧化硅溶膠和碳納米管溶液混合并攪拌均勻，得到摻雜碳納米管的氧化硅溶液；

步驟3，選取基板，將基板置于經步驟2得到的摻雜碳納米管的氧化硅溶液中，并采用浸漬提拉法在其表面提拉一層凝膠薄膜；

步驟4，在惰性氣體的保護下，對經步驟3提拉出的凝膠薄膜進行熱處理，最終得到摻雜碳納米管的氧化硅阻變薄膜。

2.根據權利要求1所述的摻雜碳納米管的氧化硅阻變薄膜的制備方法，其特征在于，在所述步驟3中：所述基板的材質為鉑。

3.根據權利要求1所述的摻雜碳納米管的氧化硅阻變薄膜的制備方法，其特征在于，在所述步驟4中：所述熱處理的溫度為200℃-700℃。

4.根據權利要求3所述的摻雜碳納米管的氧化硅阻變薄膜的制備方法，其特征在于，在所述步驟4中：所述熱處理的時間為20min-30min。

5.根據權利要求1所述的摻雜碳納米管的氧化硅阻變薄膜的制備方法，其特征在于，在所述步驟4中：所述惰性氣體為氬氣。