[發明專利]一種交叉排列電極組合及功率模塊

在審

• 申請號: 201710764006.X
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107403780A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 徐文輝;王玉林;滕鶴松
• 申請（專利權）人: 揚州國揚電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/492;H01L25/18
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 饒欣

1.一種交叉排列電極組合，其特征在于：包括第一功率模塊電極和第二功率模塊電極，第一功率模塊電極的焊接部和第二功率模塊電極的焊接部分別用于連接功率模塊內部的電源銅層，第一功率模塊電極焊接部引出第一功率模塊電極連接部，第二功率模塊電極焊接部引出第二功率模塊電極連接部，第一功率模塊電極連接部與第二功率模塊電極連接部平行且交叉排列。

2.根據權利要求1所述的交叉排列電極組合，其特征在于：所述第一功率模塊電極連接部和第二功率模塊電極連接部上均設有連接孔。

3.根據權利要求2所述的交叉排列電極組合，其特征在于：所述第一功率模塊電極焊接部和第二功率模塊電極焊接部上均設有多個圓孔。

4.采用根據權利要求1所述的交叉排列電極組合的功率模塊，其特征在于：包括上半橋基板和下半橋基板，上半橋基板上設有上半橋IGBT芯片和上半橋二極管芯片，下半橋基板上設有下半橋IGBT芯片和下半橋二極管芯片，第一功率模塊電極和第二功率模塊電極分別作為正負電極，此外還包括輸出電極；上半橋IGBT芯片開通后的工作電流路徑為：工作電流從第一功率模塊電極連接部流入，通過綁定線流入上半橋基板，流經上半橋IGBT芯片后通過綁定線流出至輸出電極；上半橋IGBT芯片關斷后的續流電流路徑為：續流電流從第二功率模塊電極連接部流入，通過綁定線流入下半橋基板，流經下半橋二極管芯片后通過綁定線流出至輸出電極；下半橋IGBT芯片開通后的工作電流路徑為：工作電流從第二功率模塊電極連接部流入，通過綁定線流入下半橋基板，流經下半橋IGBT芯片后通過綁定線流出至輸出電極；下半橋IGBT芯片關斷后的續流電流路徑為：續流電流從第一功率模塊電極連接部流入，通過綁定線流入上半橋基板，流經上半橋二極管芯片后通過綁定線流出至輸出電極。

5.采用根據權利要求1所述的交叉排列電極組合的功率模塊，其特征在于：包括底部基板和頂部基板，底部基板上設有上半橋芯片和中間基板，中間基板上設有下半橋芯片，第一功率模塊電極和第二功率模塊電極分別作為正負電極，此外還包括輸出電極；工作時，工作電流從第一功率模塊電極連接部流入底部基板，流經上半橋芯片后流至頂部基板，再通過輸出電極連接部流出；續流時，續流電流從第二功率模塊電極連接部流入，通過頂部基板流至下半橋芯片，接著流入中間基板，再流至頂部基板，通過輸出電極連接部流出。

6.根據權利要求5所述的功率模塊，其特征在于：所述底部基板上表面設有正電極銅層，頂部基板下表面設有分離的負電極銅層和輸出電極銅層。

7.根據權利要求5所述的功率模塊，其特征在于：所述上半橋芯片與輸出電極銅層之間設有第一連接塊。

8.根據權利要求5所述的功率模塊，其特征在于：所述下半橋芯片與負電極銅層之間設有第二連接塊。

9.根據權利要求5所述的功率模塊，其特征在于：所述中間基板與輸出電極銅層之間設有連接柱。