[發明專利]用于電解保護的二極管器件有效
| 申請號： | 201710763750.8 | 申請日： | 2017-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN107611182B | 公開（公告）日： | 2023-09-15 |
| 發明（設計）人： | 何飛 | 申請（專利權）人： | 常州銀河世紀微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州市科誼專利代理事務所 32225 | 代理人： | 孫彬 |
| 地址： | 213022 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 電解 保護 二極管 器件 | ||
1.一種用于電解保護的二極管器件，其特征在于：包括P型基底材料，在所述P型基底材料上，從下到上依次設置有的第一區域(1)、第二區域(2)、第三區域(3)和第四區域(4)；
所述第一區域(1)為在P型基底材料的背面進行的大面積的濃磷摻雜區域，該第一區域(1)的方塊電阻為0.2-20Ω/m2，結深為3-20μm；所述第二區域(2)為P型基底材料無摻雜的本征區域；
所述第三區域(3)為在P型基底材料的上半部進行的淡磷摻雜區域，該第三區域(3)的方塊電阻為20-100Ω/m2，結深10-40μm；
所述第四區域(4)為在P型基底材料的上表面進行的濃硼摻雜區域，該第四區域(4)的方塊電阻為0.2-20Ω/m2，結深為1-15μm；
在所述第四區域(4)的上表面上還設置有表面鈍化層(7)；所述表面鈍化層(7)為氧化鈍化層或SIPOS鈍化層，氧化鈍化層的厚度為1-4μm，SIPOS鈍化層的厚度1-4μm；
上述四個區域形成NPNP型四層結構，此四層結構包括三個PN結，當第一區域(1)與第四區域(4)之間的正向電壓使第二區域(2)與第三區域(3)之間的PN結J2擊穿時，此四層結構呈導通狀態；
在所述P型基底材料的上表面所述第四區域(4)的周圍還設置有第五區域(5)，第五區域(5)為在P型基底材料的上表面進行的濃磷摻雜區域，該第五區域(5)的方塊電阻為0.2-20Ω/m2，結深為3-20μm；所述第五區域(5)的靠近第三區域(3)的一側與第三區域(3)重疊。
2.根據權利要求1所述的用于電解保護的二極管器件，其特征在于：在所述P型基底材料的上表面邊緣設置有第六區域(6)，第六區域(6)為在P型基底材料的上表面進行的濃硼摻雜區域，該第六區域(6)的方塊電阻為0.2-20Ω/m2，結深為1-15μm。
3.根據權利要求1所述的用于電解保護的二極管器件，其特征在于：第三區域(3)的寬度為100-5000μm，第四區域(4)的寬度為100-5000μm，并且第三區域(3)被第四區域(4)包圍。
4.一種用于電解保護的二極管器件，其特征在于：包括N型基底材料，在所述N型基底材料上，從下到上依次設置有的第一區域(1)、第二區域(2)、第三區域(3)和第四區域(4)；
所述第一區域(1)為在N型基底材料的背面進行的大面積的濃硼摻雜區域，該第一區域(1)的方塊電阻為0.2-20Ω/m2，結深為3-20μm；
所述第二區域(2)為N型基底材料無摻雜的本征區域；
所述第三區域(3)為在N型基底材料的上半部進行的淡硼摻雜區域，該第三區域(3)的方塊電阻為20-100Ω/m2，結深10-40μm；
所述第四區域(4)為在N型基底材料的上表面進行的濃磷摻雜區域，該第四區域(4)的方塊電阻為0.2-20Ω/m2，結深為1-15μm；
在所述第四區域(4)的上表面上還設置有表面鈍化層(7)；所述表面鈍化層(7)為氧化鈍化層或SIPOS鈍化層，氧化鈍化層的厚度為1-4μm，SIPOS鈍化層的厚度1-4μm；
上述四個區域形成PNPN型四層結構，此四層結構包括三個PN結，當第一區域(1)與第四區域(4)之間的正向電壓使第二區域(2)與第三區域(3)之間的PN結擊穿時，此四層結構呈導通狀態；
在所述N型基底材料的上表面所述第四區域(4)的周圍還設置有第五區域(5)，第五區域(5)為在N型基底材料的上表面進行的濃硼摻雜區域，該第五區域(5)的方塊電阻為0.2-20Ω/m2，結深為3-20μm；所述第五區域(5)的靠近第三區域(3)的一側與第三區域(3)重疊。
5.根據權利要求4所述的用于電解保護的二極管器件，其特征在于：在所述N型基底材料的上表面邊緣設置有第六區域(6)，第六區域(6)為在N型基底材料的上表面進行的濃磷摻雜區域，該第六區域(6)的方塊電阻為0.2-20Ω/m2，結深為1-15μm。
6.根據權利要求4所述的用于電解保護的二極管器件，其特征在于：第三區域(3)的寬度為100-5000μm，第四區域(4)的寬度為100-5000μm，并且第三區域(3)被第四區域(4)包圍。
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