[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201710763327.8
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107863431B
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 竹中靖博;齋藤義樹;松井慎一;篠田大輔;三木久幸;篠原裕直
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 杜誠;李德山

一種發光元件，包括：n型半導體層，其主要包括Al_xGa_1?xN(0.5≤x≤1)；p型半導體層；發光層，其夾在n型半導體層與p型半導體層之間；n電極，其連接至n型半導體層；以及多個p電極，其連接至p型半導體層并且按照點圖案進行布置。n電極的面積不小于基片面積的25％并且不大于基片面積的50％。

相關申請的交叉引用

本申請基于2016年9月21日提交的日本專利申請第2016-184861號，該申請的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及發光元件，并且特別地，涉及紫外光發射元件。

背景技術

已知一種發光區域被劃分為多個部分的發光元件(例如參見JP-B-3912219)。JP-B-3912219公開了可以解決在遠離電極的部分處電流流動降低而引起發光效率降低的問題的發光元件。

發明內容

一種由III族氮化物半導體形成并且發射被稱為UV-B或者UV-C的短波長范圍內的光的發光元件具有高Al成分的半導體層。發光元件可以使n型半導體層具有比發射長波長的光的發光元件更高的薄層電阻，并且可以將具有充分的發射強度的發光層僅限制在靠近n電極的區域。此外，由于發光元件在n型半導體層與n電極之間具有高接觸電阻，所以如果該發光元件的n電極被設置有與發射長波長的光的發光元件相當的面積，則該發光元件可能具有高正向電壓。

假設由JP-B-3912219公開的發光元件由于示例性提及的發光元件的發射波長和半導體層的材料而不計入UV-B或者UV-C波長范圍內的發射。此外，JP-B-3912219沒有記載發射UV-B或者UV-C波長范圍內的光的發光元件的上述問題。

本發明的一個目標是提供下述發光元件：即使當該發光元件被配置成發射UV-B或者UV-C波長范圍內的光時，該發光元件也可以防止由于半導體層的成分而引起的發光效率的降低和正向電壓的升高。

根據本發明的實施例，提供由下述[1]至[10]限定的發光元件。

[1]一種發光元件，包括：

n型半導體層，其主要包括Al_xGa_1-xN(0.5≤x≤1)；

p型半導體層；

發光層，其夾在n型半導體層與p型半導體層之間；

n電極，其連接至n型半導體層；以及

多個p電極，其連接至p型半導體層并且按照點圖案進行布置，

其中，n電極的面積不小于基片面積的25％并且不大于基片面積的50％。

[2]根據[1]所述的發光元件，其中，n型半導體層主要包括Al_xGa_1-xN(x≥0.65)。

[3]根據[1]或[2]所述的發光元件，其中，n電極的邊緣與p電極上距n電極的邊緣最遠的點之間的距離不超過100μm。

[4]根據[1]至[3]中任一項所述的發光元件，其中，p電極的面積不小于基片面積的45％。

[5]根據[1]至[4]中任一項所述的發光元件，其中，p電極的平面形狀是圓形或者具有不少于四個頂點的多邊形。

[6]根據[5]所述的發光元件，其中，p電極的平面形狀是圓形或六邊形。

[7]根據[1]至[6]中任一項所述的發光元件，其中，點圖案中的每個p電極在具有圓形形狀的情況下的半徑或者在具有多邊形形狀的情況下的邊不小于50μm。