[發明專利]一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201710762661.1 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN107579101A | 公開(公告)日: | 2018-01-12 |
| 發明(設計)人: | 許睿;董學;王海生;劉英明;李昌峰;顧品超 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司11243 | 代理人: | 黃燦,張博 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括位于襯底基板上的多個顯示用發光元件和驅動所述顯示用發光元件發光的驅動薄膜晶體管,其特征在于,所述顯示基板還包括位于所述襯底基板上的多個光學式指紋識別元件和控制所述光學式指紋識別元件的開關薄膜晶體管,所述光學式指紋識別元件位于所述顯示基板的顯示區域,所述驅動薄膜晶體管的各膜層與所述開關薄膜晶體管的對應膜層分別位于同一層,且采用相同的材料制成。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述光學式指紋識別元件包括第一電極、第二電極和位于所述第一電極和所述第二電極之間的感光二極管,所述第一電極位于所述感光二極管遠離所述開關薄膜晶體管的一側,所述第二電極位于所述感光二極管靠近所述開關薄膜晶體管的一側,所述第一電極接入預設電壓,所述第二電極與所述開關薄膜晶體管的漏極連接。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括位于襯底基板上的多行指紋識別選通線和多列指紋識別信號讀取線,所述開關薄膜晶體管的柵極與對應行的指紋識別選通線連接,所述開關薄膜晶體管的源極與對應列的指紋識別信號讀取線連接。
4.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述感光二極管為光電二極管或有機光電探測器。
5.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述多個顯示用發光元件彼此間隔設置,所述光學式指紋識別元件位于相鄰顯示用發光元件的間隙處。
6.根據權利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述感光二極管位于所述開關薄膜晶體管靠近顯示側的一側。
7.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極采用透明導電材料制成,所述顯示基板具體包括:
位于襯底基板上的所述驅動薄膜晶體管和所述開關薄膜晶體管;
覆蓋所述驅動薄膜晶體管和所述開關薄膜晶體管的鈍化層;
位于所述鈍化層上的所述光學式指紋識別元件,所述光學式指紋識別元件的第二電極通過貫穿所述鈍化層的過孔與所述開關薄膜晶體管的漏極連接;
覆蓋所述光學式指紋識別元件的平坦層;
位于所述平坦層上的所述顯示用發光元件。
8.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述多個顯示用發光元件之間具有允許光透過的間隙,所述顯示基板具體包括:
位于襯底基板上的所述光學式指紋識別元件;
覆蓋所述光學式指紋識別元件的絕緣層;
位于所述絕緣層上的所述驅動薄膜晶體管和所述開關薄膜晶體管,所述開關薄膜晶體管的漏極通過貫穿所述絕緣層的過孔與所述光學式指紋識別元件的第二電極連接;
覆蓋所述驅動薄膜晶體管和所述開關薄膜晶體管的鈍化層;
位于所述鈍化層上的多個顯示用發光元件。
9.根據權利要求1-8中任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括設置在所述襯底基板上的指紋識別用發光元件,用于在用戶手指觸摸所述顯示基板時向用戶手指發射光線,所述指紋識別用發光元件的各膜層與所述顯示用發光元件的對應膜層分別位于同一層,且采用相同的材料制成。
10.根據權利要求9所述的顯示基板,其特征在于,所述指紋識別用發光元件為綠光顯示用發光元件。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-10中任一項所述的顯示基板。
12.一種顯示基板的制作方法,包括在襯底基板上形成多個顯示用發光元件和驅動所述顯示用發光元件發光的驅動薄膜晶體管,其特征在于,還包括:
在襯底基板上形成多個光學式指紋識別元件和控制所述光學式指紋識別元件的開關薄膜晶體管,所述光學式指紋識別元件位于所述顯示基板的顯示區域,其中,在形成所述驅動薄膜晶體管的每一膜層時,通過同一次構圖工藝形成所述開關薄膜晶體管的對應膜層。
13.根據權利要求12所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述多個顯示用發光元件彼此間隔設置,所述制作方法具體包括:
在相鄰顯示用發光元件的間隙處形成所述光學式指紋識別元件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





