[發(fā)明專利]顯示面板、陣列基板及其暗點化方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710761853.0
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107479271B
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李倩倩;姚曉慧
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

多條柵極線；

多條數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線交叉設(shè)置，限定出多個像素單元；像素單元，包括像素電極和與所述像素電極連接的薄膜晶體管；遮光電極，與所述像素電極之間設(shè)置有絕緣層，所述遮光電極設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線上、以遮住所述數(shù)據(jù)線，所述遮光電極延伸至所述薄膜晶體管的源極或漏極的上方，并與所述源極或漏極重疊，所述像素電極包括主像素電極，所述薄膜晶體管包括與所述主像素電連接的第一薄膜晶體管，所述遮光電極包括第一連接線，所述第一連接線從所述遮光電極上延伸至所述第一薄膜晶體管的第一源極或第一漏極的上方，并與所述第一源極或第一漏極重疊，所述像素電極還包括子像素電極，所述薄膜晶體管還包括與所述子像素電極連接的第二薄膜晶體管，所述遮光電極還包括第二連接線，所述第二連接線從所述遮光電極上延伸至所述第二薄膜晶體管的第二源極或第二漏極的上方，并與所述第二源極或第二漏極重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一連接線和第二連接線平行設(shè)置且與所述遮光電極一體成型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極線，所述薄膜晶體管還包括第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的第三柵極與對應(yīng)的所述柵極線連接，所述第三薄膜晶體管的第三源極通過過孔與所述子像素電極連接，所述第三薄膜晶體管的第三漏極和所述公共電極線通過過孔連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光電極由氧化銦錫材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極還包括主像素電極和子像素電極，所述薄膜晶體管還包括與所述主像素電連接的第一薄膜晶體管、與所述子像素電極連接的第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，所述陣列基板還包括公共電極線，

所述第一薄膜晶體管的第一柵極與對應(yīng)的所述柵極線連接，所述第一薄膜晶體管的第一源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第一薄膜晶體管的第一漏極通過過孔與所述主像素電極連接；

所述第二薄膜晶體管的第二柵極與對應(yīng)的所述柵極線連接，所述第二薄膜晶體管的第二源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第二薄膜晶體管的第二漏極通過過孔與所述子像素電極連接；

所述第三薄膜晶體管的第三柵極與對應(yīng)的所述柵極線連接，所述第三薄膜晶體管的第三源極通過過孔與所述子像素電極連接，所述第三薄膜晶體管的第三漏極和所述公共電極線通過過孔連接；所述遮光電極還包括第一連接線和第二連接線，所述第一連接線從所述遮光電極上延伸至所述第一薄膜晶體管的第一漏極的上方并與所述第一漏極重疊，所述第二連接線從所述遮光電極上延伸至所述第二薄膜晶體管的第二漏極的上方并與所述第二漏極重疊。

6.一種顯示面板，其特征在于，包括彩膜基板，所述顯示面板還包括如權(quán)利要求1至5任一所述的陣列基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板上設(shè)置有公共電極，所述遮光電極和所述公共電極的電位相同。

8.一種陣列基板的暗點化方法，其特征在于，

所述陣列基板包括：

多條柵極線；

多條數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線交叉設(shè)置，限定出多個像素單元；像素單元，包括像素電極和與所述像素電極連接的薄膜晶體管；遮光電極，與所述像素電極之間設(shè)置有絕緣層，所述遮光電極設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線上、以遮住所述數(shù)據(jù)線，所述遮光電極延伸至所述薄膜晶體管的源極或漏極的上方，并與所述源極或漏極重疊；所述陣列基板的暗點化方法包括：

當有像素電極異常時，切斷所述像素電極和數(shù)據(jù)線的連接；

將薄膜晶體管的漏極與遮光電極的重合區(qū)域熔斷；

將所述遮光電極直接加載至所述像素電極。