[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201710761591.8
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN109427773B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 周玲君;李坤憲
• 申請（專利權）人: 藍槍半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底，具有第一區域與第二區域；

多個第一柵極結構，設置在該基底上的該第一區域內，且在該多個第一柵極結構的側壁上設置有第一間隙壁；

多個第二柵極結構，設置在該基底上的該第二區域內，且在該多個第二柵極結構的側壁上設置有第二間隙壁，其中該第一間隙壁與該第二間隙壁是L形且具有相同的堆疊結構；

第一應變區域，形成在該基底中，距離該多個第一柵極結構的相鄰一個有第一距離；以及

第二應變區域，形成在該基底中，距離該多個第二柵極結構的相鄰一個有第二距離，其中該第二距離大于該第一距離，

其中該多個第一柵極結構的寬度小于該多個第二柵極結構的寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一應變區域與該第二應變區域都包含在該基底的凹陷以及外延層在該凹陷中。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，該外延層的材料是SiGe。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第二距離是該第一距離的至少1.5倍。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該多個第一柵極結構的側壁的該第一間隙壁的厚度與該多個第二柵極結構的側壁的該第二間隙壁的厚度是相同。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一應變區域與該第二應變區域相對于該多個第一柵極結構與該多個第二柵極結構，是用來構成源極/漏極區域。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一區域是核心元件區域，該第二區域是輸入/輸出元件區域。

8.一種半導體元件制造方法，其中基底有第一區域與第二區域，其特征在于，包括：

形成多個第一柵極結構在該基底上的該第一區域內，以及多個第二柵極結構在該基底上的該第二區域內；

形成掩模層于該多個第一柵極結構與該多個第二柵極結構上，其中該掩模層是全部高于該多個第一柵極結構與該多個第二柵極結構，且該掩模層不直接接觸該第一區域與該第二區域內的該基底；

平坦化該掩模層，得到平坦面；

形成蝕刻掩模層于該掩模層的該平坦面上，其中該蝕刻掩模層具有多個第一掩模區域覆蓋過該多個第一柵極結構且延伸出第一距離，以及多個第二掩模區域覆蓋過該多個第二柵極結構且延伸出第二距離，其中該第二距離實質大于該第一距離；

根據該蝕刻掩模層，進行蝕刻制作工藝以暴露該基底的多個表面區域；

在該多個表面區域形成多個應變區域于該基底中；以及

移除該掩模層。

9.根據權利要求8所述的半導體元件制造方法，其特征在于，形成該多個應變區域的步驟包括:

在該多個表面區域蝕刻該基底，以形成多個凹陷在該基底中；

移除該蝕刻掩模層；以及

在該多個凹陷內形成外延層。

10.根據權利要求9所述的半導體元件制造方法，其特征在于，該外延層的材料是SiGe。

11.根據權利要求8所述的半導體元件制造方法，其特征在于，該第二距離是該第一距離的至少1.5倍。

12.根據權利要求8所述的半導體元件制造方法，其特征在于，該多個應變區域包括第一應變區域與第二應變區域，該第一應變區域與該第二應變區域相對于該多個第一柵極結構與該多個第二柵極結構，是用來構成源極/漏極區域。

13.根據權利要求8所述的半導體元件制造方法，其特征在于，該第一區域是核心元件區域，該第二區域是輸入/輸出元件區域。