[發明專利]用于觸點和互連金屬化集成的腐蝕和/或蝕刻保護層

有效

• 申請號: 201710761479.4
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN108231736B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: S·艾哈邁德;B·G·莫澤;V·K·卡米內尼;D·科里;V·沙巴拉
• 申請（專利權）人: 格芯美國公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李穎;林柏楠

1.一種半導體結構，其包括：

在基材的溝道內形成的下層金屬化結構；和

在所述下層金屬化結構上的鈷磷(CoP)層，所述鈷磷(CoP)層經結構化以防止在蝕刻過程中金屬從所述金屬化結構遷移出和所述金屬化結構的腐蝕，

其中所述下層金屬化結構是在所述鈷磷(CoP)層下的由鈷材料組成的布線結構，以及

其中所述鈷磷(CoP)層具有使所述布線結構的表面暴露的開口。

2.權利要求1的半導體結構，其中所述布線結構加襯有在所述鈷材料下的TiN。

3.權利要求1的半導體結構，其中所述CoP層的厚度是至

4.權利要求3的半導體結構，其中所述CoP層是CoP₂、CoP、Co₃P₂、Co₂P、Co₅P₂或氧磷化鈷中一種的化合物。

5.權利要求4的半導體結構，其中所述氧磷化鈷選自CoOP和CoOP₂。

6.權利要求1的半導體結構，還包括在所述CoP層上形成的阻擋材料和介電材料。

7.權利要求6的半導體結構，其中所述阻擋材料進一步包括開口，該開口與所述鈷磷(CoP)層中的使所述布線結構的表面暴露的開口相匹配。

8.權利要求6的半導體結構，其中所述阻擋材料完全覆蓋所述下層金屬化結構上的所述CoP層。

9.權利要求6的半導體結構，其中在所述介電材料、阻擋材料和CoP層中形成雙波紋結構以使所述鈷材料的一部分暴露。

10.一種半導體結構，其包括：

在介電材料的溝道內形成的鈷金屬化層；

在所述鈷金屬化層上的鈷磷(CoP)層，其具有使鈷金屬化層的表面的一部分暴露的開口；和

在所述開口中且在所述鈷金屬化層的表面暴露部分上直接形成的波紋結構，

其中，所述鈷金屬化層是在所述鈷磷層下的由鈷材料組成的布線結構。

11.權利要求10的半導體結構，其包括在所述鈷金屬化層和介電材料之間的襯墊材料TiN。

12.權利要求10的半導體結構，其中所述CoP層經結構化以防止在蝕刻過程中金屬從所述鈷金屬化層遷移出和所述鈷金屬化層的腐蝕。

13.權利要求11的半導體結構，其中所述CoP層經結構化以防止在蝕刻過程中金屬從所述鈷金屬化層遷移出和所述鈷金屬化層的腐蝕。

14.權利要求10至13任一項中的半導體結構，其中所述CoP層直接地在所述鈷金屬化層上。

15.權利要求10至13任一項中的半導體結構，其中所述CoP層是CoP₂、CoP、Co₃P₂、Co₂P或Co₅P₂中一種的化合物。

16.權利要求15的半導體結構，其中所述CoP層的厚度是至

17.權利要求16的半導體結構，還包括在所述CoP層上形成的阻擋材料和介電材料。

18.權利要求17的半導體結構，其中所述波紋結構是在所述CoP層上的介電材料和阻擋材料中形成的雙波紋結構。