[發明專利]一種多晶硅切片方法

有效

• 申請號: 201710761311.3
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107457924B
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 及軍;陳世杰;王輝
• 申請（專利權）人: 寧晉松宮電子材料有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B24B27/06
• 代理公司: 河北東尚律師事務所 13124
• 代理人: 王文慶

1.一種多晶硅切片方法，其特征在于：

S1.部件清潔，分別對晶托、玻璃板的外表面進行清潔，清潔時依次采用純水和酒精進行擦拭，玻璃板的底面為黏料面，玻璃板的黏料面與水平面之間具有夾角，夾角角度為大于等于0.15°小于等于3°；

S2.配膠，采用對應膠體進行融合并靜置放熱，放熱時常為20分鐘；

S3.黏料，采用步驟S2中配置完畢的膠體將硅棒粘結在黏料面上，將玻璃板固定在晶托的下方，硅棒的底面仰角角度與黏料面仰角角度一致，晶托的最低點高于硅棒的最高點；

S4.切片，采用絲網切割機對步驟S3中粘結好的硅棒由下至上進行切割，切割過程為；

①啟動絲杠切割機，硅棒呈現S3中傾斜姿態由上至下移動，硅棒自接觸絲網起開始均勻增速；

②所述的硅棒的最低點至硅棒中心水平面為第一切割段，所述的硅棒中心水平面至硅棒最高點為第二切割段；

③所述的絲網由硅棒的最低邊沿起開始切割，絲網切割第一切割段時的切割速度勻速提升，絲網切割至硅棒中心水平面時速度最高，絲網切割至第二切割段時的切割速度勻速降低，硅棒的入切點的切割速度比出切點的切割速度高25米每分-30米每分；

④與步驟③同時進行，自切割絲網開始切割第一切割段起硅棒的下降速度開始均勻增速，自切割絲網開始切割第二切割段起硅棒的下降速度開始均勻降低；

⑤所述的硅棒移動至最低點，絲網在玻璃板上留下切槽并將硅棒整體切斷時完成切割；

S5.封裝，將步驟S4中得到的切割完畢的硅棒置入脫膠池中進行脫膠，脫膠完成后進行漂洗、烘干、電性檢測、同心圓檢測、封裝。

2.根據權利要求1所述的一種多晶硅切片方法，其特征在于：切割完畢后在硅片兩端各留一個用于配重的厚片，厚片的厚度值為相鄰硅片厚度值的3-5倍。

3.根據權利要求1所述的一種多晶硅切片方法，其特征在于：在步驟S4中所述的絲網的的切割速度為600米每分鐘-750米每分鐘之間任意一數值。

4.根據權利要求2所述的一種多晶硅切片方法，其特征在于：所述的絲網寬度小于硅棒的長度。

5.根據權利要求1所述的一種多晶硅切片方法，其特征在于：所述的S3步驟中，沿著絲網的切割方向設立絲網的中心豎直面為功能面，沿著切割方向所述功能面兩側依次為絲網的出線側和收線側。

6.根據權利要求1所述的一種多晶硅切片方法，其特征在于：所述的硅棒的底面與出線側相對。