[發明專利]一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201710761029.5
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107565026B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 于軍勝;周殿力;趙聃;王子君
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/48;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 謝建;王莎

1.一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件，其特征在于，從下往上依次為：ITO玻璃基板(1)、PEDOT：PSS陽極(2)、MAPbBr₃鈣鈦礦活性層(3)、電子傳輸層(4)和陰極層(5)，電子傳輸層(4)為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯電子傳輸層(4)；器件實現發光功能和紫外探測功能。

2.如權利要求1所述的一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件，其特征在于，PEDOT：PSS陽極(2)的厚度為20～40nm。

3.如權利要求1所述的一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件，其特征在于，MAPbBr₃鈣鈦礦活性層(3)的厚度為40～70nm。

4.如權利要求1所述的一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件，其特征在于，電子傳輸層(4)的厚度為20～40nm。

5.如權利要求1所述的一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件，其特征在于，陰極層(5)為Ag陰極層(5)，且Ag陰極層(5)的厚度為70～100nm。

6.一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、清洗ITO玻璃基板(1)；

步驟二、制備PEDOT：PSS陽極(2)：

將PEDOT：PSS溶液旋涂制備于經步驟一處理后的ITO玻璃基板(1)上；

步驟三、制備MAPbBr₃鈣鈦礦活性層(3)：

經步驟二處理后的ITO玻璃基板(1)傳送至氮氣氛圍內旋涂MAPbBr3鈣鈦礦材料活性層；

步驟四、制備電子傳輸層(4)：

在真空蒸發室中將電子傳輸層TPBi蒸鍍于經步驟三處理后的ITO玻璃基板(1)上；

步驟五、制備陰極層(5)：

在真空蒸發室中將陰極Ag蒸鍍于經步驟四處理后的ITO玻璃基板(1)上；

制備完成后的器件實現發光功能和紫外探測功能。

7.如權利要求6所述的一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件的制備方法，其特征在于，步驟一中，將清洗后的ITO玻璃基板(1)用干燥氮氣吹干；再將清洗并吹干后的ITO玻璃基板(1)傳送至紫外臭氧清洗儀中進行紫外輻照處理。

8.如權利要求6所述的一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件的制備方法，其特征在于，步驟二中，旋涂制備PEDOT：PSS陽極(2)時，旋涂的轉速為4000rpm，沉積的厚度為20～40nm。

9.如權利要求6所述的一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件的制備方法，其特征在于，步驟三中，旋涂制備MAPbBr₃鈣鈦礦活性層(3)時，旋涂的轉速為4000rpm，沉積的厚度為40～70nm。

10.如權利要求6所述的一種基于鈣鈦礦材料的雙功能器件的制備方法，其特征在于，步驟四中，熱蒸發沉積制備電子傳輸層(4)時，沉積的厚度為20～40nm；步驟五中，熱蒸發沉積制備陰極層(5)時，沉積的厚度為70～100nm。