[發(fā)明專利]一種生理健康檢測(cè)的操作方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710760718.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109427244B | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃建東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海耕巖智能科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G09F9/00 | 分類號(hào): | G09F9/00;A61B5/00 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 呂元輝;林祥翔 |
| 地址: | 201800 上海市嘉*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 生理健康 身體部分識(shí)別 移動(dòng)設(shè)備 方法和裝置 傳感單元 信號(hào)信息 反射 顯示屏區(qū)域 處理單元 用戶操作 用戶體驗(yàn) 輕薄 檢測(cè) 傳感器 區(qū)時(shí) 捕捉 | ||
1.一種生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述方法應(yīng)用于生理健康檢測(cè)的操作裝置,所述裝置包括顯示單元、傳感單元和處理單元;所述顯示單元上設(shè)置有身體部分識(shí)別區(qū),所述傳感單元設(shè)置于所述身體部分識(shí)別區(qū)的下方;所述方法包括以下步驟:
傳感單元在接收到光源觸發(fā)信號(hào)時(shí),發(fā)出光信號(hào),以及接收偵測(cè)觸發(fā)信號(hào),處于光偵測(cè)狀態(tài),并接收用戶身體部分反射的光信號(hào)以捕捉用戶的身體部分信息,并記錄身體部分反射的光信號(hào)信息;光源觸發(fā)信號(hào)與偵測(cè)觸發(fā)信號(hào)交替切換,并符合一預(yù)設(shè)頻率;
處理單元根據(jù)身體部分反射的光信號(hào)信息,得到該身體部分對(duì)應(yīng)的生理健康信息,并在顯示單元上顯示所述生理健康信息。
2.如權(quán)利要求1所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述捕捉用戶的身體部分信息包括:當(dāng)檢測(cè)到身體部分與傳感單元之間的距離小于預(yù)設(shè)距離時(shí),捕捉身體部分信息。
3.如權(quán)利要求1所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述捕捉用戶的身體部分信息包括:
根據(jù)捕捉到的用戶的身體部分信息計(jì)算其特征值,并與預(yù)設(shè)身體部分信息的特征值進(jìn)行對(duì)比;當(dāng)誤差小于預(yù)設(shè)值時(shí),判定為捕捉到身體部分信息匹配成功,否則判定為捕捉到的身體部分信息匹配失敗。
4.如權(quán)利要求3所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述方法還包括步驟:
當(dāng)判定捕捉到的身體部分信息匹配失敗時(shí),發(fā)出提示信息。
5.如權(quán)利要求4所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述提示信息包括聲音提示信息、圖像提示信息、光線提示信息、視頻提示信息中的一種或多種。
6.如權(quán)利要求1所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述傳感單元包括TFT影像感測(cè)陣列薄膜,所述TFT影像感測(cè)陣列薄膜包括光敏二極管或光敏電晶管所形成的陣列。
7.如權(quán)利要求6所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述光敏二極管或光敏電晶管所形成的陣列,其光偵測(cè)波長(zhǎng)范圍包含可見光波段或是紅外光波段。
8.如權(quán)利要求6或7所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述TFT影像感測(cè)陣列薄膜為光敏二極管所形成的陣列,所述光敏二極管所形成的陣列包括光敏二極管感應(yīng)區(qū),所述光敏二極管感應(yīng)區(qū)包括光敏二極管層,所述光敏二極管層包括p型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層,p型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層自上而下堆疊設(shè)置,所述i型半導(dǎo)體層為微晶硅結(jié)構(gòu)或非結(jié)晶硅化鍺結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述微晶硅結(jié)構(gòu)為硅烷與氫氣通過化學(xué)氣相沉積成膜的半導(dǎo)體層,微晶硅的結(jié)構(gòu)的結(jié)晶度大于40%,且其禁帶寬度小于1.7eV。
10.如權(quán)利要求8所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述非結(jié)晶硅化鍺結(jié)構(gòu)為硅烷、氫氣與鍺烷通過化學(xué)氣相沉積成膜的非結(jié)晶半導(dǎo)體層,且其禁帶寬度小于1.7eV。
11.如權(quán)利要求8所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述p型半導(dǎo)體層的上端面設(shè)置有第一光學(xué)器件,所述第一光學(xué)器件用于降低光線在p型半導(dǎo)體層的上端面的反射率、或是減小光線在p型半導(dǎo)體層的折射角度以增加光入射量。
12.如權(quán)利要求8所述的生理健康檢測(cè)的操作方法,其特征在于,所述n型半導(dǎo)體層的下端面還設(shè)置有第二光學(xué)器件,所述第二光學(xué)器件用于提高光線在n型半導(dǎo)體層的下端面的反射率。
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