[發(fā)明專利]一種三維存儲(chǔ)器的制備方法及其結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710759970.3
• 申請(qǐng)日: 2017-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107706186A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵明;徐強(qiáng);李廣濟(jì);宋豪杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/11521
• 分類號(hào): H01L27/11521;H01L27/11551
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11619
• 代理人: 董李欣

1.一種三維存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一基板，在所述基板上形成三維存儲(chǔ)器的陣列存儲(chǔ)區(qū)；

在所述陣列存儲(chǔ)區(qū)形成陣列共源極，以及與所述陣列共源極電連接的接觸孔，所述陣列共源極位于所述接觸孔處的寬度大于陣列共源極其它位置處的寬度。

2.如權(quán)利要求1所述的一種三維存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：所述接觸孔的孔徑小于所述陣列共源極位于該接觸孔處的寬度，并且所述接觸孔的孔徑等于或大于所述陣列共源極其它位置處的寬度。

3.如權(quán)利要求1所述的一種三維存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：所述陣列共源極位于所述接觸孔處的形狀與所述接觸孔的形狀相似。

4.如權(quán)利要求1所述的一種三維存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：所述陣列共源極位于所述接觸孔處的形狀為矩形，菱形，圓形，橢圓形，多邊形。

5.如權(quán)利要求1所述的一種三維存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：所述陣列共源極位于所述接觸孔處的寬度為100埃至5000埃。

6.如權(quán)利要求1所述的一種三維存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于：所述形成三維存儲(chǔ)器的陳列存儲(chǔ)區(qū)包括在所述基板上交替形成氮化硅層和二氧化硅層的多層堆疊結(jié)構(gòu)；在所述多層層疊結(jié)構(gòu)中形成通孔，所述通孔的底部暴露所述基板，并將所述氮化硅層刻蝕掉；在上述被去掉的氮化硅層的位置填充金屬，并進(jìn)行隔離刻蝕，形成金屬柵層；在所述通孔的側(cè)壁上沉積二氧化硅層介質(zhì)層，并在通孔形成溝道區(qū)，在多層層疊結(jié)構(gòu)頂部繼續(xù)沉積金屬層以形成陣列共源極，再沉積二氧化硅層，并在二氧化硅層中形成陣列共源極通孔以電連接陣列共源極引線。

7.一種三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)是由如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的方法制備得到的。