[發(fā)明專利]一種高霧度的透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710759647.6
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107633896A
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊熹;葉繼春;高平奇;盛江;肖劍峰;黃志林;夏金才;周建宏
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所;日地太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所(普通合伙)33228
• 代理人: 李迎春

1.一種高霧度的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于：該透明導(dǎo)電薄膜包括透明電極，所述透明電極的一面涂布有帶絨面結(jié)構(gòu)的透明固化膠，所述透明電極的另一面為光滑的平面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高霧度的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述絨面結(jié)構(gòu)為具有微米或納米尺度的隨機(jī)或周期性的結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高霧度的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述絨面結(jié)構(gòu)為納米錐結(jié)構(gòu)、倒金字塔結(jié)構(gòu)、納米洞結(jié)構(gòu)、鵝眼結(jié)構(gòu)、荷葉結(jié)構(gòu)中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高霧度的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述透明導(dǎo)電薄膜的霧度在0～95％內(nèi)可調(diào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高霧度的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述透明導(dǎo)電薄膜的反射率為1～20％，透過率為70～97％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高霧度的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述透明導(dǎo)電薄膜的厚度為0.5～1000μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高霧度的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述透明電極為銦錫氧化物透明電極、碳納米管透明電極、石墨烯透明電極、金屬納米線透明電極、金屬網(wǎng)格透明電極中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高霧度的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述的固化膠為光固化膠、熱固化膠、壓敏膠中的一種。

9.一種制造權(quán)利要求1-8任一所述的高霧度的透明導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)在襯底上制備透明電極；

(2)在步驟(1)中得到的透明電極的表面均勻涂布一層透明的固化膠；

(3)將步驟(2)中得到的透明電極涂布有固化膠的一面與制絨模板緊密接觸，然后使固化膠固化；

(4)將步驟(3)中固化后的固化膠與制絨模板分離，將透明電極與襯底分離，即得到高霧度的透明導(dǎo)電薄膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種高霧度的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：所述的襯底為硅片、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、玻璃、鋁箔、銅箔、不銹鋼板中的一種。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種高霧度的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：所述的步驟(2)中，涂布方法為旋涂，旋涂的轉(zhuǎn)速為400～8000rpm，勻膠時間為15～60s。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種高霧度的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：所述制絨模板為具有微米或納米尺度的隨機(jī)或周期性結(jié)構(gòu)的聚二甲基硅氧烷、全氟聚醚、鋁、聚四氟乙烯中的一種。