[發(fā)明專利]一種RMI法低溫制備層狀SiC基抗沖擊復(fù)合陶瓷材料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710759549.2
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107573074B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 成來飛;孫孟勇;范尚武;白鈺航;李明星
• 申請（專利權(quán)）人: 西北工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565;C04B35/622
• 代理公司: 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種RMI法低溫制備層狀SiC基抗沖擊復(fù)合陶瓷材料的方法，其特征在于步驟如下：

步驟1、流延薄片的制備：采用流延法制備陶瓷薄膜，并干燥脫模；所述陶瓷薄膜的組份為：40-45份的粉體，8-10份碳，45-51份溶劑，3-5份分散劑，8-9份的粘結(jié)劑，3-5份的增塑劑；

所述粉體為SiC粉體、TiC粉體、B₄C粉體、Si₃N₄粉體或Si粉體；

所述溶劑為甲乙酮和乙醇的混合液，甲乙酮和乙醇按體積比為1:1-2:1混合；

所述粘結(jié)劑為聚乙烯醇縮丁醛；

所述增塑劑為丙三醇和鄰苯二甲酸二辛酯的混合液，丙三醇和鄰苯二甲酸二辛酯按體積比1:2-1:1混合；

步驟2、層狀預(yù)制體的制備：

將干燥脫模后的所述粉體為SiC粉體制備的陶瓷薄膜和所述粉體為TiC粉體、B₄C粉體、Si₃N₄粉體或Si粉體制備的陶瓷薄膜，按照設(shè)計要求進行裁剪、交替疊片，在5-10MPa的干壓形成預(yù)制體；再放入100-200℃的烘箱中保溫1-3h后在5-10MPa的壓力下進行低溫?zé)釅海辉龠M行150-200MPa的冷等靜壓，保壓時間1-5min，制得層狀陶瓷預(yù)制體；

步驟3、陶瓷素坯的制備：

將層狀陶瓷預(yù)制體至于管式爐中，以1℃/min升溫至600℃，保溫2h進行排膠；繼續(xù)以1.5℃/min升溫至1000℃-1300℃，保溫1h進行高溫?zé)崽幚硇纬商沾伤嘏鳎?/p>

步驟4、層狀抗沖擊SiC基復(fù)合陶瓷材料的制備：

將陶瓷素坯使用硅粉包埋并放至于石墨坩堝中，將石墨坩堝放置于真空爐中，以10-15℃/min的速度升溫至1500℃-1650℃，保溫1-3h，隨爐冷卻至室溫，制得層狀SiC基抗沖擊復(fù)合陶瓷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述RMI法低溫制備層狀SiC基抗沖擊復(fù)合陶瓷材料的方法，其特征在于：所述步驟1中流延薄片的制備是：將粉體、碳、溶劑和分散劑進行混合并研磨得到預(yù)混液，再加入粘結(jié)劑和增塑劑混合后得到流延料漿，將流延料漿進行真空除泡，通過流延后得到陶瓷薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述RMI法低溫制備層狀SiC基抗沖擊復(fù)合陶瓷材料的方法，其特征在于：所述分散劑為聚乙烯基吡咯烷酮、三油酸甘油酯、磷酸三乙酯、蓖麻油中的一種或幾種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述RMI法低溫制備層狀SiC基抗沖擊復(fù)合陶瓷材料的方法，其特征在于：所述各粉體粒徑為1-20μm。