[發明專利]一種高導電石墨烯薄膜陣列的激光雕刻制備方法

有效

• 申請號: 201710758366.9
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN109421402B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 胡成國;張祝潺
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: B41M5/26
• 分類號: B41M5/26;B41M1/30
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 薛玲

1.一種高導電石墨烯薄膜陣列的激光雕刻制備方法，其特征在于，以酚醛樹脂、聚偏氟乙烯、或多糖為基底，在基底上進行激光雕刻，形成導電石墨烯圖案，其中，所述基底添加有用于增強吸光性能的摻雜劑或者為棕色的酚醛樹脂，所述摻雜劑為無機摻雜劑或有機摻雜劑，所述無機摻雜劑為鐵、鈷、鎳、銅、鋅、錫、錳、鋁、鈣、鎂、鉬的金屬鹽中的任一種或多種，所述有機摻雜劑為二甲基黃、甲基紫、亞甲基藍、中性紅中的任一種或多種，采用常見的低成本激光雕刻機來進行激光雕刻。

2.如權利要求1所述的高導電石墨烯薄膜陣列的激光雕刻制備方法，其特征在于，所述酚醛樹脂為摻雜了硼、鉬、氮、磷、硫元素中任一種或多種的酚醛樹脂。

3.如權利要求1所述的高導電石墨烯薄膜陣列的激光雕刻制備方法，其特征在于，所述多糖為以葡萄糖及其衍生物為單體的多糖，包括纖維素、硝酸纖維素、醋酸纖維素、羥基纖維素、海藻酸鈉。

4.如權利要求1所述的高導電石墨烯薄膜陣列的激光雕刻制備方法，其特征在于，所述摻雜劑的摻雜方式包括：材料整體摻雜和表面涂覆。

5.如權利要求1所述的高導電石墨烯薄膜陣列的激光雕刻制備方法，其特征在于，所述金屬鹽包括鹽酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽、醋酸鹽、草酸鹽。

6.如權利要求1所述的高導電石墨烯薄膜陣列的激光雕刻制備方法，其特征在于，所述激光雕刻的激光波長為248nm～10.6μm，強度為500mW～60W。

7.如權利要求1所述的高導電石墨烯薄膜陣列的激光雕刻制備方法，其特征在于，所述激光雕刻在空氣、氮氣、氬氣、氦氣或氫氣的氛圍下進行。

8.如權利要求1-7任一項所述的高導電石墨烯薄膜陣列的激光雕刻制備方法所得電極陣列的應用，其特征在于，用于電化學傳感器、超級電容器、鋰離子電池、電催化、電致加熱膜、抗靜電涂層、電磁屏蔽涂層領域。