[發明專利]適用于TDDB的原位偵測熱點方法有效
| 申請號： | 201710757942.8 | 申請日： | 2017-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN107576895B | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發明（設計）人： | 吳奇偉;尹彬鋒;王炯 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/12 | 分類號： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 適用于 tddb 原位 偵測 熱點 方法 | ||
1.一種適用于TDDB的原位偵測熱點方法，其特征在于，包括：
提供待測樣品，對所述待測樣品的電性參數進行驗證；
定義應力條件及偵測熱點的初始應力條件；
對所述待測樣品施加應力；
觀測中間數據，若所述待測樣品達到偵測熱點的初始應力條件，施加熱點偵測電壓偵測熱點；
若偵測到熱點，則進行失效分析或繼續TDDB測試；
對所述待測樣品施加電壓時，由高電壓降至低電壓進行熱點偵測；
選擇的最大熱點偵測電壓對所述待測樣品失效時間的影響不超過器件失效時間的1％；
于偵測熱點機臺中完成應力及偵測熱點測試，且根據是否滿足偵測熱點的初始應力條件切換施加于待測樣品上的應力電壓和偵測熱點電壓。
2.如權利要求1所述的適用于TDDB的原位偵測熱點方法，其特征在于，對所述待測樣品施加的應力包括電壓、溫度。
3.如權利要求1所述的適用于TDDB的原位偵測熱點方法，其特征在于，若所述待測樣品達到偵測熱點的初始應力條件，停止TDDB應力測試。
4.如權利要求1所述的適用于TDDB的原位偵測熱點方法，其特征在于，若所述待測樣品的電性參數不滿足驗證條件，則不進行TDDB測試。
5.如權利要求1所述的適用于TDDB的原位偵測熱點方法，其特征在于，所述待測樣品為MOS晶體管器件前后道工藝中涉及的電介質。
6.如權利要求1所述的適用于TDDB的原位偵測熱點方法，其特征在于，所述待測樣品的一端施加應力，另一端連接地端。
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