[發明專利]一種集成存儲系統

在審

• 申請號: 201710757768.7
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107506319A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 孟瑤
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F13/38;G06F13/40;G06F13/42
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

技術領域

本發明涉及數據存儲技術領域，特別是涉及一種集成存儲系統。

背景技術

隨著信息時代的發展，各行各業出現大量的數據，隨之而來的是急劇增長的數據存儲需求，集成存儲系統很好地滿足了用戶的存儲需求，因此受到了廣泛的關注。

現有技術中，集成存儲系統主要包括包含IC(Integrated Circuit，集成電路)的主控板、傳輸總線、連接器、硬盤背板以及專用硬盤接口，如圖1所示，圖1為現有技術中的一種集成存儲系統的結構示意圖，主控板與硬盤背板之間通過連接器連接，主控板上的IC通過傳輸總線與連接器連接，連接器還通過傳輸總線與設置在硬盤背板上的專用硬盤接口連接，硬盤通過專用硬盤接口插入硬盤背板后整個集成存儲系統便可以工作。

考慮到不同的應用場景，集成存儲系統可分為SAS SSD(Serial Attached SCSI Solid State Drives，串行連接小型計算機系統接口的固態硬盤)硬盤集成存儲系統和NVME SSD(Non-Volatile Memory Express Solid State Drives，非易失性固態存儲硬盤)硬盤集成存儲系統。具體來說，SAS SSD硬盤集成存儲系統采用SAS(Serial Attached SCSI，串行連接小型計算機系統接口)傳輸總線協議，而NVME SSD硬盤集成存儲系統采用PCIE(Peripheral Component Interconnect Express，高速串行計算機擴展總線標準)傳輸總線協議，請參見圖2和圖3，圖2為SAS SSD硬盤的集成存儲系統的結構示意圖，圖3為NVMESSD硬盤的集成存儲系統的結構示意圖。由此可以看出，現有技術中，不同類型的硬盤，其傳輸總線協議不同，從而導致連接到硬盤背板的傳輸總線及連接器不同。可以看出，多種硬盤需要多套集成存儲系統，各個集成存儲系統不能通用，這直接造成資源的浪費，增加了成本，不利于市場的開發和競爭。

因此，如何提供一種能解決上述問題的系統，是本領域技術人員目前需要解決的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種集成存儲系統，適用于多種傳輸總線對應的硬盤，提高了資源的利用率，節省了成本，有利于市場的開發和競爭。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種集成存儲系統，包括包含集成電路IC的主控板、傳輸總線、連接器、硬盤背板以及用于連接硬盤的通用硬盤接口，其中，所述主控板與所述硬盤背板之間通過所述連接器連接，所述IC通過所述傳輸總線與所述連接器連接，所述連接器還通過所述傳輸總線與設置在所述硬盤背板上的通用硬盤接口連接；

所述傳輸總線與所述連接器的阻抗的取值范圍均為多種傳輸總線規定的阻抗取值范圍的交集，所述傳輸總線的間距為多種所述傳輸總線間距中最大的間距；所述通用硬盤接口包括集成了適用于多種所述傳輸總線對應的硬盤的接口。

優選地，多種所述傳輸總線的協議包括串行連接小型計算機系統接口SAS傳輸總線協議和高速串行計算機擴展總線標準PCIE傳輸總線協議，則所述傳輸總線與所述連接器的阻抗的取值范圍均為SAS傳輸總線與PCIE傳輸總線規定的阻抗取值范圍的交集，所述傳輸總線的間距為所述SAS傳輸總線與所述PCIE傳輸總線間距中最大的間距；所述通用硬盤接口包括集成了適用于所述PCIE傳輸總線協議與所述SAS傳輸總線協議的硬盤的接口。

優選地，所述傳輸總線與所述連接器的阻抗的取值范圍均為90-93.5ohm。

優選地，所述傳輸總線的阻抗為92ohm。

優選地，所述連接器的阻抗與所述傳輸總線的阻抗相等。

優選地，進一步包括硬盤轉接板和設置于所述硬盤背板上的轉接連接器，其中：

所述硬盤背板通過所述轉接連接器與所述硬盤轉接板連接，所述轉接連接器通過所述傳輸總線與所述連接器連接，所述通用硬盤接口設置于所述硬盤轉接板上，所述轉接連接器包括集成了適用于多種所述傳輸總線的協議的引腳。

優選地，當多種所述傳輸總線的協議為SAS傳輸總線協議和PCIE傳輸總線協議時，所述轉接連接器為PCIE連接器。