[發明專利]一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 201710757452.8
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107490905A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 王小元;楊妮;王武;方琰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1339
• 分類號: G02F1/1339;G02F1/1333
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 羅瑞芝,陳源

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體地，涉及一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-LCD Panel)由陣列基板(Array)5和彩膜基板(CF)6通過周邊的封框膠(Sealant)3固化粘附在一起，如圖1所示。為保證液晶顯示面板結構的穩定性和強度，尤其是在高溫高濕等的惡劣條件下，要求封框膠與陣列基板和彩膜基板的粘附性良好。

目前品質部門常通過剝離(Peel off)實驗測試液晶顯示面板在常規條件下的粘附性能，如圖2所示，在剝離測試中，通過在陣列基板5的綁定接線區7的兩個角落垂直于陣列基板5施加一定的壓力F(一般壓力F＞1.5kg.f)，根據陣列基板5和彩膜基板6是否剝離及剝離壓力的大小評判液晶顯示面板結構的穩定性。同時，將待測試的液晶顯示面板在高溫高壓高濕等惡劣環境下長時間放置后，再次對其進行剝離測試。常規條件和惡劣條件下陣列基板和彩膜基板的粘附性均無問題，液晶顯示面板方能通過評價。

對于TN模式的液晶顯示面板(即利用垂直電場控制液晶分子偏轉)，采用氧化銦錫材料形成的像素電極層位于陣列基板表層，采用氧化銦錫材料形成的公共電極層位于彩膜基板表層。在顯示面板周邊的封框膠所在區域，為了將公共電極信號從陣列基板的柵極導電層引入至彩膜基板的公共電極層上，像素電極層通常會延伸至陣列基板表層對應封框膠的區域，同時，公共電極層也會延伸至彩膜基板表層對應封框膠的區域；即封框膠會直接與陣列基板和彩膜基板的氧化銦錫材料的表層相接觸并對兩基板進行粘結。由于封框膠與氧化銦錫材料的膨脹收縮等特性相差較大，且氧化銦錫材料形成的膜層表面較光滑，因此封框膠與氧化銦錫材料形成的膜層之間的粘附性較差，在常規條件和惡劣條件下的剝離測試中常會出現陣列基板和彩膜基板相互剝離的現象。

因此，如何使陣列基板與彩膜基板能通過封框膠牢固地粘結，以確保顯示面板結構的穩定性已成為目前亟待解決的問題。

發明內容

本發明針對現有技術中存在的上述技術問題，提供一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。該顯示面板通過在第一基板和第二基板的與封框膠相接觸的表層的對應封框膠的區域設置凹陷結構，能使第一基板和第二基板的表層對應封框膠的區域表面變得粗糙，從而使第一基板和第二基板與封框膠的粘結更加牢固，進而能夠增強顯示面板結構的穩定性。

本發明提供一種顯示面板，包括對合設置的第一基板和第二基板，以及夾設于所述第一基板和所述第二基板之間的封框膠，所述封框膠能將所述第一基板和所述第二基板粘結在一起，所述第一基板和所述第二基板的與所述封框膠相接觸的表層設置有凹陷結構，所述凹陷結構分布在所述表層的對應所述封框膠的區域，所述凹陷結構能使所述第一基板和所述第二基板通過所述封框膠牢固粘結。

優選地，所述凹陷結構包括開設在所述第一基板的所述表層和所述第二基板的所述表層的凹槽。

優選地，所述凹槽包括多個，多個所述凹槽在所述第一基板的所述表層和所述第二基板的所述表層的對應所述封框膠的區域不規則分布。

優選地，所述凹槽的形狀包括直線狀、曲線狀和/或孔狀。

優選地，設置于所述第一基板的所述表層的所述凹槽的深度小于或等于所述第一基板的所述表層的厚度；設置于所述第二基板的所述表層的所述凹槽的深度小于或等于所述第二基板的所述表層的厚度。

優選地，所述第一基板的所述表層為第一氧化銦錫層；所述第二基板的所述表層為第二氧化銦錫層。

優選地，所述第一基板為彩膜基板，所述第二基板為陣列基板，所述封框膠對應設置在對合的所述第一基板和所述第二基板的邊框區域；

所述第二基板還包括設置在所述第二氧化銦錫層下方的第一導電層，所述第一導電層和所述第二氧化銦錫層之間設置有絕緣層，所述第二氧化銦錫層通過開設在所述絕緣層中的過孔連接所述第一導電層，所述第一導電層用于將公共電壓信號引入至所述第二氧化銦錫層上；

所述第一氧化銦錫層用作公共電極；所述封框膠能導電，所述封框膠能將所述第二氧化銦錫層上的所述公共電壓信號傳輸至所述第一氧化銦錫層上。

本發明還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。

本發明還提供一種上述顯示面板的制備方法，包括采用構圖工藝分別形成第一基板和第二基板的與封框膠相接觸的表層；同時在所述表層的對應所述封框膠的區域形成凹陷結構。

優選地，形成所述凹陷結構包括采用全色調掩膜工藝或者半色調掩膜工藝在所述表層形成凹槽。