[發(fā)明專利]微影方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710756723.8 | 申請日： | 2017-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN108227372A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉朕與;林進祥;張慶裕 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 張福根;馮志云 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光敏層 中間層 下方層 微影 曝光工藝 圖案化 基板 熱酸 顯影 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種微影方法，包括：
形成一下方層于一基板上；
形成一含硅中間層于該下方層上，其中該含硅中間層具有一熱酸產(chǎn)生組成；
形成一光敏層于該含硅中間層上；
對該光敏層進行一曝光工藝；以及
顯影該光敏層，以形成一圖案化的光敏層。
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