[發明專利]一種低損傷GaN/AlGaN HEMT柵槽刻蝕方法有效
| 申請號： | 201710756527.0 | 申請日： | 2017-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN107591326B | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發明（設計）人： | 閆未霞 | 申請（專利權）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/335 | 分類號： | H01L21/335;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐豐;張巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 損傷 gan alganhemt 刻蝕 方法 | ||
1.一種低損傷GaN/AlGaN HEMT柵槽刻蝕方法，其特征在于，包括如下內容：
在GaN/AlGaN HEMT外延結構上形成刻蝕阻擋層；
對所述刻蝕阻擋層進行圖形化，露出預設為柵部分的GaN/AlGaN外延結構的表面；
將所述露出預設為柵部分的GaN/AlGaN HEMT外延結構的表面置于浸沒有HBr與He的刻蝕氣體的刻蝕機內，并加以偏置電壓，以刻蝕所述預設為柵部分的GaN/AlGaN外延結構的表面到指定深度，形成柵槽結構；
外延結構的尺寸具體是2-8寸。
2.根據權利要求1所述的低損傷GaN/AlGaN HEMT柵槽刻蝕方法，其特征在于，所述GaN/AlGaN HEMT外延結構，具體包括：在襯底上依次生長的未摻雜的GaN緩沖層、GaN溝道層、AlGaN隔離層或AlN插入層、AlGaN勢壘層、GaN帽層。
3.根據權利要求2所述的低損傷GaN/AlGaN HEMT柵槽刻蝕方法，其特征在于，所述襯底具體為Si，SiC或藍寶石。
4.根據權利要求2所述的低損傷GaN/AlGaN HEMT柵槽刻蝕方法，其特征在于，所述GaN/AlGaN HEMT外延結構具體采用MOCVD 或MBE形成。
5.根據權利要求2所述的低損傷GaN/AlGaN HEMT柵槽刻蝕方法，其特征在于，所述指定深度具體為到達所述AlGaN勢壘層內的指定深度。
6.根據權利要求1所述的低損傷GaN/AlGaN HEMT柵槽刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為光刻膠、金屬硬掩膜或介電質硬掩膜。
7.根據權利要求1所述的低損傷GaN/AlGaN HEMT柵槽刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕機內浸沒的HBr與He的刻蝕氣體被激發成等離子體并加以偏置電壓，在所述刻蝕機的反應室內，控制壓力為1~100mT，離子體源功率為300~700W,偏置電壓為100~400V。
8.根據權利要求1所述的低損傷GaN/AlGaN HEMT柵槽刻蝕方法，其特征在于，控制HBr流量為50～250sccm，He流量為50～500sccm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
