[發(fā)明專利]一種電子鋁箔復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710755361.0
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107731530A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張繼保
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江長興鑫啟元電子科技有限公司
• 主分類號: H01G9/00
• 分類號: H01G9/00;H01G9/045
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務(wù)所有限公司33214
• 代理人: 林偉鑫

1.一種電子鋁箔復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、真空鍍膜：在電子鋁箔的表面通過真空鍍膜的方法噴鍍一種高介電常數(shù)材料，形成穩(wěn)定膜層；

(2)、電化學(xué)處理：真空鍍膜好的電子鋁箔通過電化學(xué)方法將穩(wěn)定膜層中可能存在的缺陷點(diǎn)形成一層與Al及Al₂O₃密合的復(fù)合介質(zhì)層，從而提高相對介電常數(shù)ε_r。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子鋁箔復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述的高介電常數(shù)材料為鈦、鈦氧化物、鈦酸鋇、鍶、鋯、釩的一種或多種，所述高介電常數(shù)材料的目數(shù)不大于100納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種電子鋁箔復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟(1)中真空鍍膜的采用分子束鍍膜，具體操作步驟為：將高介電常數(shù)材料通過分子束外延裝置，在超真空、溫度200-400℃條件下將高介電常數(shù)材料以束狀分子流射向電子鋁箔表面以形成100nm-3μm的復(fù)合介質(zhì)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種電子鋁箔復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟(1)中真空鍍膜的采用磁控鍍膜，具體操作步驟為：將高介電常數(shù)材料在1000-1500℃溫度條件下模壓燒結(jié)成塊，在超真空和100-300℃溫度條件下通過高頻濺射方式將高介電常數(shù)材料沉積在電子鋁箔表面上，以形成100nm-2μm的復(fù)合介質(zhì)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種電子鋁箔復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟(2)中電化學(xué)處理的具體操作步驟為：將真空鍍膜好的電子鋁箔置于硼酸、己二酸及其鹽、壬二酸及其鹽的3-10％的水溶液中，溫度為85±5℃、按要求的電壓和電流、1.5-3.0m/min的車速進(jìn)行電化學(xué)處理以形成穩(wěn)定致密的復(fù)合介質(zhì)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電子鋁箔復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝，其特征在于，電化學(xué)處理采用的電壓為30V至額定電壓，電流為500A。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電子鋁箔復(fù)合介質(zhì)生產(chǎn)工藝，其特征在于，電化學(xué)處理采用的電壓為100V至額定電壓，電流為800A。