[發(fā)明專利]一種IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710755343.2
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107579025A
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田成俊;吳宗祐;林宗賢
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 張振軍,吳敏

1.一種IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導(dǎo)體襯底；

根據(jù)預(yù)設(shè)的第一離子注入?yún)?shù)，向所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行載流子離子注入，以形成載流子摻雜區(qū)；

按照預(yù)設(shè)的第二離子注入?yún)?shù)，向所述載流子摻雜區(qū)進(jìn)行IV族元素離子的離子注入，以形成混合摻雜區(qū)；

對所述混合摻雜區(qū)的電阻率進(jìn)行測量；

根據(jù)所述混合摻雜區(qū)的電阻率，確定所述IV族元素離子的離子注入工藝是否發(fā)生異常。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，向所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行載流子離子注入的摻雜離子為：P型離子或N型離子。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，所述P型離子或N型離子選自：硼離子、磷離子以及砷離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，所述第一離子注入?yún)?shù)包括：

注入能量為0.5KeV至60KeV；

注入劑量為1E13atom/cm²至5E16atom/cm²；

注入角度為0度至10度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，向所述載流子摻雜區(qū)進(jìn)行IV族元素離子的離子注入的摻雜離子為：碳離子、硅離子或鍺離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，所述第二離子注入?yún)?shù)包括：

注入能量為0.5KeV至60KeV；

注入劑量為1E13atom/cm²至5E16atom/cm²；

注入角度為0度至10度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，采用四探針法或擴(kuò)展電阻法對所述混合摻雜區(qū)的電阻率進(jìn)行測量。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，根據(jù)所述混合摻雜區(qū)的電阻率，確定所述IV族元素離子的離子注入工藝是否發(fā)生異常包括：

如果所述混合摻雜區(qū)的電阻率與預(yù)設(shè)電阻率的差值超出預(yù)設(shè)差值范圍，則確定所述IV族元素離子的注入工藝發(fā)生異常。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，根據(jù)所述混合摻雜區(qū)的電阻率，確定所述IV族元素離子的離子注入工藝是否發(fā)生異常包括：

如果所述混合摻雜區(qū)的電阻率與前一次或者前多次測量得到的電阻率的差值超出預(yù)設(shè)差值范圍，則確定所述IV族元素離子的注入工藝發(fā)生異常。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的IV族元素離子的離子注入工藝的監(jiān)測方法，其特征在于，還包括：

存儲所述離子注入工藝的異常記錄和/或發(fā)出警示信息。