[發明專利]一種提高深度一致性的多晶硅插塞形成方法

有效

• 申請號: 201710755338.1
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107731830B
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 隋翔宇;唐兆云;陸智勇;趙新梅;江潤峰;程媛;王家友
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11526
• 分類號: H01L27/11526;H01L27/11529;H01L27/11573;H01L21/768
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 郎志濤

1.一種提高深度一致性的多晶硅插塞形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有溝道孔的襯底堆疊結構；

在溝道孔中進行插塞氧化物填充，并在堆疊結構上面也形成插塞氧化物層；

進行平坦化處理，除去堆疊結構上面的插塞氧化物層，并終止于堆疊結構最上層的氧化物介質層；

沉積形成插塞的多晶硅；

對形成插塞的多晶硅進行p類型摻雜的離子注入；

涂覆光刻膠，并形成光刻圖案；所述光刻圖案為在上表面臺階結構(Stair Step，SS)接觸區上形成的經過溝道孔頂部并具有一光刻關鍵尺寸的光刻條帶；

在所述光刻條帶區域進行高濃度的N類型摻雜(N+)的離子注入；

去除頂部多余的光刻膠。

2.如權利要求1所述的提高深度一致性的多晶硅插塞形成方法，其特征在于，所述氧化物填充為采用原子層沉積法填充(ALD)。

3.如權利要求1所述的提高深度一致性的多晶硅插塞形成方法，其特征在于，所述平坦化處理采用化學機械研磨處理(CMP)。

4.如權利要求1或2所述的提高深度一致性的多晶硅插塞形成方法，其特征在于，所述插塞氧化物為正硅酸乙酯(TEOS)。

5.如權利要求1所述的提高深度一致性的多晶硅插塞形成方法，其特征在于，所述沉積形成插塞的多晶硅為采用低壓化學氣相沉積(LPCVD)。

6.如權利要求1所述的提高深度一致性的多晶硅插塞形成方法，其特征在于，所述光刻關鍵尺寸比現有多晶硅插塞的關鍵尺寸大40nm；并且對準度(OVL)小于15nm。