[發明專利]一種陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201710755000.6
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107591415B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 王麗

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步驟：

提供一第一基板；

提供第一光罩，在所述第一基板上設置主動開關；

提供第二光罩，在所述主動開關上設置光刻膠，其中包括依次進行的流程：

a.對所述主動開關進行第一次濕法蝕刻；

b.對所述光刻膠進行第一次灰化處理，降低光刻膠層厚度以露出溝道區域的源漏極層；

c.對所述主動開關進行第一次干法蝕刻；

d.對所述主動開關進行第二次濕法蝕刻；

e.對所述光刻膠進行第二次灰化處理；

f.對所述主動開關進行第二次干法蝕刻；

提供第三光罩，在所述主動開關的金屬層上設置保護層；

提供第四光罩，在所述保護層上設置像素電極層；

在所述第一基板上設置所述主動開關的步驟包括：

在所述第一基板上沉積柵極層；

在所述柵極層上沉積絕緣層；

在所述絕緣層上沉積非晶硅層；

在所述非晶硅層上沉積歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上沉積金屬層。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層、所述非晶硅層和所述歐姆接觸層構成一組合層；

所述光刻膠設置在所述保護層上，所述光刻膠的邊沿與所述金屬層的同側邊沿平齊；

對所述主動開關進行第一次濕法蝕刻的步驟后，所述金屬層和所述保護層的位置范圍縮小至第一區域值；

對所述光刻膠進行第一次灰化處理的步驟后，所述光刻膠的位置范圍縮小至第二區域值；

對所述主動開關進行第一次干法蝕刻的步驟后，所述組合層的位置范圍縮小至第三區域值：所述組合層的邊沿與所述金屬層的同側邊沿平齊；

對所述主動開關進行第二次濕法蝕刻的步驟后，所述金屬層和所述保護層的位置范圍縮小至第四區域值。

3.如權利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述金屬層和所述保護層的位置范圍縮小至第一區域值：所述組合層的邊沿比所述金屬層的同側邊沿長0.165微米，所述金屬層的邊沿比所述保護層的同側邊沿長0.404微米。

4.如權利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述金屬層和所述保護層的位置范圍縮小至第四區域值：所述組合層的邊沿與所述金屬層的同側邊沿距離預設長度，所述金屬層的邊沿比所述保護層的同側邊沿長0.404微米。

5.如權利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，對所述主動開關進行第一次濕法蝕刻的步驟、對所述主動開關進行第一次干法蝕刻的步驟、對所述主動開關進行第二次濕法蝕刻的步驟后，所述金屬層為梯形，所述梯形包括靠近所述歐姆接觸層的第一底邊和遠離所述歐姆接觸層的第二底邊，所述第一底邊的長度大于所述第二底邊的長度，所述第一底邊的邊沿比所述第二底邊的同側邊沿長0.404微米。

6.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述保護層包括第一保護層和第二保護層，所述絕緣層、所述非晶硅層和所述歐姆接觸層構成一組合層，所述第一保護層設置在所述組合層和所述金屬層之間，所述第二保護層設置在所述金屬層上。

7.如權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述金屬層采用鋁元素，所述保護層采用鉬元素。