[發(fā)明專利]像素驅(qū)動電路及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710754066.3
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN107492345A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳小龍
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,武岑飛

1.一種像素驅(qū)動電路，其特征在于，包括：復(fù)位模塊、閾值電壓補(bǔ)償模塊、發(fā)光驅(qū)動模塊以及有機(jī)發(fā)光二極管；

所述復(fù)位模塊用于在復(fù)位階段根據(jù)處于高電位的第一掃描信號、處于高電位的第二掃描信號以及處于低電位的第三掃描信號對所述發(fā)光驅(qū)動模塊進(jìn)行電位復(fù)位；

所述閾值電壓補(bǔ)償模塊用于在閾值電壓補(bǔ)償階段根據(jù)處于低電位的第一掃描信號、處于高電位的第二掃描信號以及處于高電位的第三掃描信號對所述發(fā)光驅(qū)動模塊進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償；

所述發(fā)光驅(qū)動模塊用于在發(fā)光驅(qū)動階段根據(jù)處于高電位的第一掃描信號、處于低電位的第二掃描信號以及處于低電位的第三掃描信號對所述有機(jī)發(fā)光二極管進(jìn)行驅(qū)動，以使所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光；

其中，驅(qū)動所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光的電流與所述發(fā)光驅(qū)動模塊的閾值電壓無關(guān)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述復(fù)位模塊包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管和電容器；

所述第一薄膜晶體管的柵極連接于第一節(jié)點(diǎn)，且其源極用于接收電源負(fù)極電壓，且其漏極連接到所述第二薄膜晶體管的漏極；

所述第二薄膜晶體管的柵極用于接收第一掃描信號，且其源極連接到所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極；

所述第三薄膜晶體管的柵極用于接收第二掃描信號，且其源極連接到所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極并用于接收電源正極電壓，且其漏極連接到所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極；

所述第四薄膜晶體管的柵極用于接收第二掃描信號，且其源極連接到所述第二薄膜晶體管的漏極，且其漏極連接到所述第一節(jié)點(diǎn)；

所述第五薄膜晶體管的柵極用于接收第一掃描信號，且其源極連接到所述第三薄膜晶體管的源極，且其漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)；

所述電容器的一端電性連接于第一節(jié)點(diǎn)，且其另一端電性連接于第二節(jié)點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述閾值電壓補(bǔ)償模塊包括：所述第一薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、第六薄膜晶體管和所述電容器；

所述第六薄膜晶體管的柵極用于接收第三掃描信號，且其源極用于接收數(shù)據(jù)信號，且其漏極電性連接于所述第二節(jié)點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述發(fā)光驅(qū)動模塊包括：所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管和所述電容器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管至所述第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管或非晶硅薄膜晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管至所述第六薄膜晶體管均為NMOS晶體管。

7.一種像素驅(qū)動電路，其特征在于，包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、電容器和有機(jī)發(fā)光二極管；

所述第一薄膜晶體管的柵極連接于第一節(jié)點(diǎn)，且其源極用于接收電源負(fù)極電壓，且其漏極連接到所述第二薄膜晶體管的漏極；

所述第二薄膜晶體管的柵極用于接收第一掃描信號，且其源極連接到所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極；

所述第三薄膜晶體管的柵極用于接收第二掃描信號，且其源極連接到所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極并用于接收電源正極電壓，且其漏極連接到所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極；

所述第四薄膜晶體管的柵極用于接收第二掃描信號，且其源極連接到所述第二薄膜晶體管的漏極，且其漏極連接到所述第一節(jié)點(diǎn)；

所述第五薄膜晶體管的柵極用于接收第一掃描信號，且其源極連接到所述第三薄膜晶體管的源極，且其漏極電性連接于第二節(jié)點(diǎn)；

所述第六薄膜晶體管的柵極用于接收第三掃描信號，且其源極用于接收數(shù)據(jù)信號，且其漏極電性連接于所述第二節(jié)點(diǎn)；

所述電容器的一端電性連接于第一節(jié)點(diǎn)，且其另一端電性連接于第二節(jié)點(diǎn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管至所述第六薄膜晶體管均為NMOS晶體管。