[發明專利]用于實現具有不同操作模式的多級存儲器分級結構的設備和方法有效
| 申請號： | 201710753816.5 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN107608910B | 公開（公告）日： | 2021-07-02 |
| 發明（設計）人： | R.K.拉馬努詹;R.阿加瓦爾;G.J.欣頓 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | G06F12/08 | 分類號： | G06F12/08;G06F12/0806 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;鄭冀之 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 實現 具有 不同 操作 模式 多級 存儲器 分級 結構 設備 方法 | ||
1.一種雙列直插存儲器模塊（DIMM），包括：
a）耦合到工業標準雙數據速率存儲器通道的接口；
b）非易失性存儲器，所述非易失性存儲器被分配系統存儲器地址空間以作為字節可尋址系統存儲器；
c）用作所述非易失性存儲器的高速緩存的DRAM存儲器，所述非易失性存儲器具有比所述DRAM存儲器更大的存儲容量；
d）板載電子電路，用以：
識別目標數據項是否在所述高速緩存中；
識別哪些系統存儲器地址對應于哪些非易失性存儲器地址；
識別所述非易失性存儲器中更可能發生故障的區域；
識別所述非易失性存儲器的壞區，這些壞區將被永久排除在將來的使用之外；以及
通過所述接口接收存儲器讀取請求，并通過所述接口響應所述讀取請求，其中所述讀取請求具有的目標地址不對應于其數據在所述高速緩存中的系統存儲器地址。
2.如權利要求1所述的雙列直插存儲器模塊，其中所述非易失性存儲器由閃速存儲器組成。
3.如權利要求1所述的雙列直插存儲器模塊，其中所述非易失性存儲器由垂直堆疊式存儲器存儲單元組成。
4.如權利要求1所述的雙列直插存儲器模塊，其中所述非易失性存儲器可選地以塊粒度來存取，以作為字節可尋址存取的替代。
5.如權利要求1所述的雙列直插存儲器模塊，其中所述工業標準雙數據速率存儲器通道符合JEDEC頒布的標準。
6.如權利要求5所述的雙列直插存儲器模塊，其中所述JEDEC頒布的標準是DDR4標準。
7.一種計算系統，包括：
多個處理核；
網絡接口；
系統存儲器控制器；
系統存儲器，所述系統存儲器包括DIMM，所述DIMM通過工業標準雙數據速率存儲器通道耦合至所述系統存儲器控制器，所述DIMM包括以下a）至d）：
a）耦合到所述工業標準雙數據速率存儲器通道的接口；
b）非易失性存儲器，所述非易失性存儲器被分配系統存儲器地址空間以作為字節可尋址系統存儲器；
c）用作所述非易失性存儲器的高速緩存的DRAM存儲器，所述非易失性存儲器具有比所述DRAM存儲器更大的存儲容量；
d）板載電子電路，用以：
識別目標數據項是否在所述高速緩存中；
識別哪些系統存儲器地址對應于哪些非易失性存儲器地址；
識別所述非易失性存儲器中更可能發生故障的區域；
識別所述非易失性存儲器的壞區，這些壞區將被永久排除在將來的使用之外；以及
通過所述接口接收存儲器讀取請求，并通過所述接口響應所述讀取請求，其中所述讀取請求具有的目標地址不對應于其數據在所述高速緩存中的系統存儲器地址。
8.如權利要求7所述的計算系統，其中所述非易失性存儲器由閃速存儲器組成。
9.如權利要求8所述的計算系統，其中所述非易失性存儲器由垂直堆疊式存儲器存儲單元組成。
10.如權利要求8所述的計算系統，其中所述非易失性存儲器可選地以塊粒度來存取，以作為字節可尋址存取的替代。
11.如權利要求8所述的計算系統，其中所述工業標準雙數據速率存儲器通道符合JEDEC頒布的標準。
12.如權利要求11所述的計算系統，其中所述JEDEC頒布的標準是DDR4標準。
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