[發明專利]半導體器件和半導體器件的制造方法有效
| 申請號: | 201710753668.7 | 申請日: | 2014-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN107579086B | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 渡部剛 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L31/0203;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 制造 方法 | ||
本發明涉及半導體器件和半導體器件的制造方法。該半導體器件包括:基板;設置在所述有機基板上的集成電路和芯片部件,其中,芯片部件與集成電路間隔開;模制成型部,包括中央部和周邊部;以及設置在所述模制成型部的中央部上的固態圖像拾取元件,所述固態圖像拾取元件具有的頂部邊緣在厚度方向上的位置中比所述模制成型部的周邊部的頂部邊緣低。
本申請是申請日為2014年1月10日、申請號為201410012589.7、發明名稱為“半導體器件和半導體器件的制造方法”的專利申請的分案申請,其全部內容結合于此作為參考。
相關申請的交叉參考
本申請要求于2013年1月17日提交的日本在先專利申請JP2013-6533的權益,該專利申請的全部內容通過引用結合于此。
技術領域
本發明涉及半導體器件和制造該半導體器件的方法。特別地,本發明涉及半導體器件和制造半導體器件的方法,其能夠通過減小外部尺寸,減小厚度,以及增加熱輻射效率抑制固態圖像拾取元件的溫度升高而減小熱噪聲的影響。
背景技術
近年來,隨著智能手機、平板電腦等已被小型化,半導體器件,內置于諸如智能手機、平板裝置等中的半導體封裝件和半導體模塊的半導體器件已經日益被小型化。
對于該半導體器件,已經提出一種能夠表面安裝的方法,其中固態圖像拾取元件通過樹脂的使用粘結到倒裝芯片安裝在基板上的IC上,并且不需要額外的基板(參見美國專利申請公開號US005696031A)。
然而,在上述方法中,由于從IC產生的熱被轉移到固態圖像拾取元件,該固態圖像拾取裝置的電氣特性會降低。
因此,已經提出一種方法,其通過使用樹脂將墊片(spacer)粘結到IC頂表面且將固態圖像拾取元件粘結到該墊片,抑制從IC產生的熱轉移到該固態圖像拾取元件(參見日本未審查專利申請公開號No.2004-006564)。
然而,在上述方法中,有必要事先制備片狀熱絕緣合成膠粘劑。除此之外,精確附接和硬化該膠粘劑的步驟是必要的。因此,會增加制造材料和制造步驟數。
因此,已經提出了一種將空腔設置在陶瓷基板或有機基板的兩個表面上,并將固態圖像拾取元件和IC均容納在其中的方法(參見日本未審查專利申請公開號2012-009547(JP2012-009547A))。
發明內容
然而,在JP2012-009547A中公開的技術中,在安裝固態圖像拾取元件和IC時,有必要保證固態圖像拾取元件和IC之間的層的強度。除此之外,由于固態圖像拾取元件和IC的布線被集中,該層的厚度不太可能被減小,從而導致不能減小封裝件的厚度。
此外,為了減小封裝件的厚度,已經提出一種方法,該方法在空腔中設置臺階,在最低表面上安裝IC,且隨后在固態圖像拾取元件上方的臺階中容納固態圖像拾取元件。然而,此類方法不太可能被實現,除非與該固態圖像拾取元件的尺寸相比,IC的尺寸被顯著減小,因此,不允許安裝實際尺寸的IC。
特別是,期望通過減小外部尺寸和密封設置在有機基板上的IC和芯片部件的樹脂厚度,以及增加熱輻射效率抑制所布置的固態圖像拾取元件的溫度升高而實現抑制由于熱噪聲引起的圖像質量降低。
根據本技術的實施方式提供了一種半導體器件,其包括:基板;設置在該基板上的集成電路和芯片部件,其中,所述芯片部件與所述集成電路間隔開;模制成型部,其包括中央部和周邊部;以及設置在該模制成型部的中央部的固態圖像拾取元件,該固態圖像拾取元件的頂部邊緣在厚度方向上的位置中比該模制成型部的周邊部的頂部邊緣低。
該模制成型部的中央部可連接到該模制成型部的周邊部,以允許從集成電路產生的熱從該模制成型部的中央部轉移到該模制成型部的周邊部。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





