[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法以及陣列基板

有效

• 申請號: 201710752796.X
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN107482064B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 卜呈浩
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

柔性襯底(1)；

設置在所述柔性襯底(1)上的水氧阻隔層(2)；

設置在所述水氧阻隔層(2)上的緩沖層(3)；

設置在所述緩沖層(3)上的源極(4)；

設置在所述源極(4)上并至少暴露出源極(4)一側的間隔層(5)；

設置在所述間隔層(5)上的漏極(6)；

在所述間隔層(5)與漏極(6)一側設置的接觸部分漏極(6)上表面、漏極(6)與間隔層(5)的側面、及部分源極(4)上表面的氧化物半導體溝道層(7)；

設置在所述氧化物半導體溝道層(7)上的柵極絕緣層(8)；

以及設置在所述柵極絕緣層(8)上的柵極(9)；

所述間隔層(5)暴露出源極(4)的兩側，所述源極(4)遠離氧化物半導體溝道層(7)的一側上設置源極接觸電極(41)，所述漏極(6)遠離氧化物半導體溝道層(7)的一側上設置漏極接觸電極(61)。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述水氧阻隔層(2)為多層的六方氮化硼薄膜，所述源極(4)與漏極(6)均為雙層石墨烯薄膜，所述氧化物半導體溝道層(7)的材料為氧化銦、銦鎵鋅氧化物、或氧化鋅。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括覆蓋所述緩沖層(3)、源極(4)、源極接觸電極(41)、漏極(6)、漏極接觸電極(61)、與柵極(9)的平坦層(10)。

4.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述間隔層(5)的材料為聚酰亞胺，厚度為400nm～800nm。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極接觸電極(41)與漏極接觸電極(61)的材料為金；所述柵極(9)的材料為摻鋁氧化鋅。

6.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供玻璃基板(1’)，在所述玻璃基板(1’)上形成柔性襯底(1)；

步驟S2、形成覆蓋所述柔性襯底(1)的水氧阻隔層(2)；

步驟S3、形成覆蓋所述水氧阻隔層(2)的緩沖層(3)；

步驟S4、形成層疊在所述緩沖層(3)上的源極(4)；

步驟S5、形成層疊在所述源極(4)上并至少暴露出源極(4)一側的間隔層(5)；

步驟S6、形成覆蓋所述間隔層(5)的漏極(6)；

步驟S7、形成氧化物半導體溝道層(7)、柵極絕緣層(8)、與柵極(9)；

還包括：

在所述步驟S4與步驟S5之間進行的步驟S45、在所述源極(4)的一側邊緣上蒸鍍出源極接觸電極(41)；

在所述步驟S6與步驟S7之間進行的步驟S67、在所述漏極(6)的一側邊緣上蒸鍍出漏極接觸電極(61)；

所述氧化物半導體溝道層(7)位于所述間隔層(5)與漏極(6)的一側，并接觸部分漏極(6)上表面、漏極(6)與間隔層(5)的側面、及部分源極(4)上表面；所述柵極絕緣層(8)設在氧化物半導體溝道層(7)上，所述柵極(9)設置在所述柵極絕緣層(8)上。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述步驟S2的具體過程為：先在銅箔上生長六方氮化硼薄膜，再將生長好的六方氮化硼薄膜轉移到柔性襯底(1)上，重復多次形成所述水氧阻隔層(2)；

所述步驟S4的具體過程為：先在銅箔上生長單層石墨烯薄膜，再將單層石墨烯薄膜轉移到所述緩沖層(3)上，重復兩次，得到雙層石墨烯薄膜，然后對雙層石墨烯薄膜進行圖案化處理，形成所述源極(4)；

所述步驟S6的具體過程為：先在銅箔上生長單層石墨烯薄膜，再將單層石墨烯薄膜轉移到所述間隔層(5)上，重復兩次，得到雙層石墨烯薄膜，然后對雙層石墨烯薄膜進行圖案化處理，形成所述漏極(6)。