[發明專利]一種新型鎘鋅碲/鈣鈦礦/單晶硅太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201710751720.5 | 申請日: | 2017-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN107546288A | 公開(公告)日: | 2018-01-05 |
| 發明(設計)人: | 戚明海 | 申請(專利權)人: | 戚明海 |
| 主分類號: | H01L31/043 | 分類號: | H01L31/043;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225321 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 鎘鋅碲 鈣鈦礦 單晶硅 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種新型鎘鋅碲/鈣鈦礦/單晶硅太陽能電池,其特征在于:一個位于頂部的能吸收短波長可見光的鎘鋅碲太陽能電池,一個位于中部的可吸收紫外光的鈣鈦礦太陽能電池,以及一個位于底部的能吸收可見光長波長的單晶硅太陽能電池;
所述的鎘鋅碲太陽能電池,包括:透明電極層(1),n型CdS層(2),p型Cd1-xZnxTe層(3),透明導電層(4),背電極(5);
所述的鈣鈦礦太陽能電池,包括:鈣鈦礦透明導電膜(6),電子傳輸層(7);
所述的單晶硅太陽能電池,包括:單晶硅層(8),底層電極板(9),其中單晶硅層(8)由氣相沉積法沉積在底層電路板(9)上;
所述的鈣鈦礦太陽能電池納米微球多孔結構,其中納米微球為多孔結構,內層為n型硅(10),外層為p型硅(11),并緊密堆積;
所述的單晶硅太陽能電池安裝在底部,鈣鈦礦太陽能電池緊密貼合并印刷在單晶硅太陽能電池上,鎘鋅碲太陽能電池緊密印刷在鈣鈦礦太陽能電池上;三個電池層依次印刷,互相緊密堆積。
2.根據權利要求1所述的一種新型鎘鋅碲/鈣鈦礦/單晶硅太陽能電池,其特征在于:所述的鎘鋅碲太陽能電池背電極(5)與鈣鈦礦太陽能電池的鈣鈦礦透明導電膜(6)和單晶硅太陽能的單晶硅層(8)的形狀和尺寸大小完全一致。
3.根據權利要求1所述的一種新型鎘鋅碲/鈣鈦礦/單晶硅太陽能電池,其特征在于:所述的鎘鋅碲太陽能電池背電極(5)與鈣鈦礦太陽能電池的鈣鈦礦透明導電膜(6)要完全重合;所述的鈣鈦礦太陽能電池的電子傳輸層(7)與單晶硅太陽能的單晶硅層(8)要完全重合。
4.根據權利要求1所述的一種新型鎘鋅碲/鈣鈦礦/單晶硅太陽能電池,其特征在于:所述的鈣鈦礦層為多孔結構,嵌套在多孔結構表面。
5.一種如權利要求1所述的新型鎘鋅碲/鈣鈦礦/單晶硅太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述的合成方法分為鎘鋅碲太陽能電池制備方法、鈣鈦礦太陽能電池制備方法以及單晶硅太陽能電池的制備方法;
其中所述的鎘鋅碲太陽能電池制備方法包括以下步驟:
透明電極層制作:在透明電極層(1)上熱蒸發厚度為 200 ~ 600 納米的透明導電氧化物前電極,材料為 SnO2:F、 ITO、ZnO:Al 中的任一種;
n型CdS覆蓋:在透明電極層(1)上涂抹厚度為 50 ~ 800 納米的 n 型 CdS (2);
退火操作:采用濺射方法在 n 型 CdS (2)上沉積 p 型(3),厚度為 500 ~1500 納米;在制備好p 型Cd1-xZnxTe(3)后,將其放置在快速退火爐中進行退火;退火溫度在200 ~ 400℃,退火時間40 ~ 120 分鐘;
透明導電層制作:退火結束后,用化學噴涂方法在Cd1-xZnxTe(3)上沉積 50 ~ 300 納米的碳納米管涂層作為透明導電層(4);
背電極制作:用熱蒸發方法依次沉積3 ~ 4納米的銅和 20 ~ 30 納米的金背電極(5);
其中所述的鈣鈦礦太陽能電池制備方法包括以下步驟:
二維層狀結構生成:在二氧化錫FTO導電玻璃上高壓噴射石墨烯有機溶劑,形成二維層狀結構;
超聲混合:對p型硅粉末,n型硅粉末,碳纖維和導電膠超聲混合,形成混合溶液
涂覆:將混合溶液涂覆在二維層狀結構表面;
滲透:在微波震蕩的條件下震蕩2小時,使混合溶液滲透到二維層狀結構的間隙中;
清洗:除去二維層狀結構表面多余的混合溶液,得到所述鈣鈦礦太陽能電池;
其中所述的單晶硅太陽能電池制備方法包括以下步驟:
單晶硅層的制作:使用氣相擴散的方法,在單晶硅薄片上制造出pn結,然后使用來回印刷的方法在正面和背面印刷金屬電極,并與下層電極板(9)連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





