[發明專利]LED芯片及其制作方法在審
| 申請號: | 201710750865.3 | 申請日: | 2017-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN107527982A | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發明(設計)人: | 劉佳擎;李慶;陳立人 | 申請(專利權)人: | 聚燦光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙)32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215123 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 芯片 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體芯片領域,尤其是一種LED芯片及其制作方法。
背景技術
發光二極管(Light-Emitting Diode,LED)是一種能發光的半導體電子元件。這種電子元件早在1962年出現,早期只能發出低光度的紅光,之后發展出其它單色光的版本,時至今日能發出的光已遍及可見光、紅外線以及紫外線,光度也提高到相當的光度。由于其具有節能、環保、安全、壽命長、低功耗、低熱、高亮度、防水、微型、防震、易調光、光束集中、維護簡便等特點,可以廣泛應用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明等領域。
關于藍綠光色區的LED芯片,因目前傳統藍寶石襯底的藍綠光LED芯片,通過在藍寶石襯底上依次生長n-GaN、InGaN/AlGaN量子阱、p-GaN,為異質結外延結構,存在嚴重的自發極化和壓電極化,因此很難生長出波長單色性很好的高質量藍綠光外延,通常芯片的波長半波寬大于15nm+,發光光譜寬,發光效率低,尤其在封裝白光時,對應熒光粉的激發效率低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種LED芯片,該LED芯片可以實現藍綠光色區的芯片更高效率的單色出光。
本發明的目的還在于提供一種LED芯片的制作方法,該LED芯片的制作方法制作工藝簡單,制作出的LED芯片能夠實現藍綠光色區的芯片更高效率的單色出光。
為實現上述發明目的,本發明提供一種LED芯片,包括:襯底;成形在襯底上、且由N型半導體層、發光層和P型半導體層組成的外延層;分別與N型半導體層和P型半導體層電連接的N型電極和P型電極;所述LED芯片還包括在LED芯片背面位于所述襯底表面的光致發光膜層和/或濾光膜層,所述LED芯片與PCB基板電氣連接能夠實現光子從所述襯底端經由所述光致發光膜層和/或濾光膜層出射發光。
作為本發明一實施方式的進一步改進,所述LED芯片還包括位于所述P型半導體層表面的帶有反光作用的電流傳導膜層,所述P型電極位于所述電流傳導膜層上并通過電流傳導膜層與所述P型半導體層電連接。
作為本發明一實施方式的進一步改進,所述電流傳導膜層構造為反光TCL電流傳輸層。
作為本發明一實施方式的進一步改進,所述外延層上設有露出所述N型半導體層的N型半導體臺面,所述N型電極位于所述N型半導體臺面上。
作為本發明一實施方式的進一步改進,所述LED芯片背面位于所述襯底表面的為光致發光膜層,所述光致發光膜層的制成材料至少包括無機、有機或有機無機復合物。
本發明還提供了一種LED芯片的制作方法,所述制作方法包括以下步驟:
S1、提供一襯底;
S2、在所述襯底上外延生長形成N型半導體層、發光層和P型半導體層組成的外延層;
S3、刻蝕外延層形成N型半導體臺面;
S4、在外延層的P型半導體層上生長具有反光作用的電流傳導膜層;
S5、在電流傳導膜層上形成與P型半導體層電連接的P型電極,在N型臺面上形成與N型半導體層電連接的N型電極;
S6、在LED芯片背面的襯底表面形成光致發光膜層和/或濾光膜層。
作為本發明一實施方式的進一步改進,在所述步驟S3中,通過MESA刻蝕、ICP或者濕法腐蝕出所述N型半導體臺面。
作為本發明一實施方式的進一步改進,所述濕法腐蝕為使用KOH溶液或用H2SO4:H3PO4=3:1的溶液對外延層進行腐蝕。
作為本發明一實施方式的進一步改進,在所述步驟S4中,通過電子束蒸發、濺射或ALD中的一種或多種工藝在外延層的P型半導體層上生長具有反光作用的電流傳導膜層,通過光刻工藝,制作反光TCL電流傳輸層。
作為本發明一實施方式的進一步改進,在所述步驟S5中,通過電子束蒸發、濺射、ALD中的一種或多種工藝在電流傳導膜層和N型半導體臺面上生長導電金屬薄膜,通過光刻工藝,制作芯片電極層,從而形成與P型半導體層電連接的P型電極、與N型半導體層電連接的N型電極。
作為本發明一實施方式的進一步改進,在所述步驟S6中,通過物理氣相、化學氣相、溶膠-凝膠、涂敷、金屬有機化學氣相沉積中的一種或多種工藝在所述LED芯片背面襯底表面制備光致發光膜層,然后通過掩模、光刻、剝離、熱與激光轉印、激光剝離或印刷中的一種或多種工藝制作成圖形。
作為本發明一實施方式的進一步改進,在所述步驟S6之后,通過錫焊層將所述LED芯片與PCB基板上的金屬線路電氣連接,實現光子從襯底端經由所述光致發光膜出射發光。
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