[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法與顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710750836.7 | 申請日: | 2017-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN107591426A | 公開(公告)日: | 2018-01-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 卓恩宗 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11228 | 代理人: | 亓贏 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
一第一基板;
多條柵極線,形成于所述第一基板上;
一柵極覆蓋層,形成于所述第一基板上,并覆蓋該些柵極線;
多條數(shù)據(jù)線,形成于所述柵極覆蓋層上,其中該些數(shù)據(jù)線與該些柵極線相交的部分形成多個主動開關(guān)陣列,其中所述主動開關(guān)陣列具有溝道區(qū)和源極及漏極區(qū)的有源層,與用來向溝道區(qū)提供信號的柵極;
一鈍化層,形成于所述柵極覆蓋層上,并覆蓋所述源極和漏極區(qū)的源極及漏極;
一外涂層,形成于所述鈍化層上;
一陽極電極層,形成于所述外涂層上,并分別連接所述源極和漏極區(qū)的源極及漏極與柵極;
一堤岸層,形成于所述外涂層上,并覆蓋所述陽極電極層;
一像素定義層,形成于所述堤岸層上,并覆蓋所述陽極電極層;以及
一陰極電極層,形成于所述像素定義層上;
其中,所述像素定義層包括有機發(fā)光二極管及一傳感器,所述有機發(fā)光二極管及所述傳感器陣列排列。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述源極及漏極包括鈦、鈦合金、鉭和鉭合金中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述有源層包括多晶硅。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述外涂層包括一彩色濾光片。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述陽極電極層為銦錫氧化物。
6.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一第一基板;
將多條柵極線形成于所述第一基板上;
將一柵極覆蓋層形成于所述第一基板上,并覆蓋該些柵極線;
將多條數(shù)據(jù)線形成于所述柵極覆蓋層上,其中該些數(shù)據(jù)線與該些柵極線相交的部分形成多個主動開關(guān)陣列,其中所述主動開關(guān)陣列具有溝道區(qū)和源極及漏極區(qū)的有源層,與用來向溝道區(qū)提供信號的柵極;
將一鈍化層形成于所述柵極覆蓋層上,并覆蓋所述源極和漏極區(qū)的源極及漏極;
將一外涂層形成于所述鈍化層上;
將一陽極電極層形成于所述外涂層上,并分別連接所述源極和漏極區(qū)的源極及漏極與柵極;
將一堤岸層形成于所述外涂層上,并覆蓋所述陽極電極層;
將一像素定義層形成于所述堤岸層上,并覆蓋所述陽極電極層;以及
將一陰極電極層形成于所述像素定義層上。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述源極及漏極包括鈦、鈦合金、鉭和鉭合金中的至少一種。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述有源層包括多晶硅。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述外涂層包括一彩色濾光片;所述陽極電極層為銦錫氧化物。
10.一種顯示裝置,包括:一控制部件,及
一顯示面板,包括:
一第一基板;
多條柵極線,形成于所述第一基板上;
一柵極覆蓋層,形成于所述第一基板上,并覆蓋該些柵極線;
多條數(shù)據(jù)線,形成于所述柵極覆蓋層上,其中該些數(shù)據(jù)線與該些柵極線相交的部分形成多個主動開關(guān)陣列,其中所述主動開關(guān)陣列具有溝道區(qū)和源極及漏極區(qū)的有源層,與用來向溝道區(qū)提供信號的柵極;
一鈍化層,形成于所述柵極覆蓋層上,并覆蓋所述源極和漏極區(qū)的源極及漏極;
一外涂層,形成于所述鈍化層上;
一陽極電極層,形成于所述外涂層上,并分別連接所述源極和漏極區(qū)的源極及漏極與柵極;
一堤岸層,形成于所述外涂層上,并覆蓋所述陽極電極層;
一像素定義層,形成于所述堤岸層上,并覆蓋所述陽極電極層;以及
一陰極電極層,形成于所述像素定義層上;
其中,所述像素定義層包括有機發(fā)光二極管及一傳感器,所述有機發(fā)光二極管及所述傳感器陣列排列。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





