[發明專利]高頻裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710749904.8
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN108321086B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 翁銘彥;高克毅;何家齊;筱崎勉;王程麒;李宜音
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/321;H01Q1/38
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

本公開提供一種高頻裝置的制造方法，包括：提供基板；形成導電材料于基板上；靜置第一時間間隔；依序重復形成導電材料的步驟以及靜置的步驟至少一次以形成導電層，其中導電層的厚度的范圍為0.9μm至10μm；以及圖案化導電層。本公開亦提供一種高頻裝置。

技術領域

本公開是有關于一種高頻裝置及其制造方法，特別是有關于高頻裝置的導電層及其制造方法。

背景技術

在傳統顯示器的制作上，以例如物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)于基板上進行導電層的沉積時，僅需沉積數千埃即符合產品的需求，但對于高頻裝置(例如，天線)而言，于基板上設置厚度較厚的導電層是必要的。然而，對于一般厚度的基板來說，于其上鍍覆厚度較厚的導電層(例如，大于1微米(μm)以上)需要長時間的連續沉積，而過程中的原子撞擊釋放大量熱能累積于導電層及基板，使得導電層或基板因結構的應力增加而產生翹曲(warpage)的現象，導致鍍覆導電材料(例如，金屬)的基板無法順利進入設備機臺中進行后續的制程作業，例如，光刻、清洗制程等，造成厚導電層組件的制作困難。

因此，開發一種可有效維持平坦態樣的導電覆層結構，可減少前述在基板上制作厚導電層時所產生的翹曲問題。

發明內容

在一些實施例中，本公開提供一種高頻裝置的制造方法，包括：提供一基板；形成一導電材料于該基板上；靜置一第一時間間隔；依序重復該形成該導電材料的步驟以及該靜置的步驟至少一次以形成一導電層，其中該導電層的厚度的范圍為0.9μm至10μm；以及圖案化該導電層。

在另一些實施例中，本公開提供一種高頻裝置的制造方法，包括：提供一基板；形成一導電層于該基板上，該基板的溫度的范圍為10℃至130℃；以及圖案化該導電層。

在又一些實施例中，一種高頻裝置結構，包括：一基板；以及一圖案化導電層，位于該基板上，且該圖案化導電層具有一厚度；其中，該圖案化導電層在鄰近該基板處有一第一位置，該圖案化導電層在遠離該基板處有一第二位置，該第一位置位于距離該基板1/5的該厚度處，該第二位置位于距離該基板4/5的該厚度處，且該第一位置的晶粒尺寸大于該第二位置的晶粒尺寸。

附圖說明

為讓本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，以下結合附圖對本發明的具體實施方式作詳細說明，其中：

圖1是根據本公開一些實施例中，高頻裝置的制造方法的步驟流程圖；

圖2A至圖2E是根據本公開一些實施例中，高頻裝置在制程中不同階段的剖面圖；

圖3是根據本公開一些實施例中，高頻裝置的制造方法的步驟流程圖；

圖4A至圖4C是根據本公開一些實施例中，高頻裝置在制程中不同階段的剖面圖；

圖5A至圖5D是根據本公開一些實施例中，使用掃描電子顯微鏡(scanningelectron microscope，SEM)觀測高頻裝置結構的圖案化導電層所得到的影像示意圖；

圖6A至圖6E是根據本公開一些實施例中，導電層的X-射線繞射分析圖。

圖中元件標號說明：

10 高頻裝置的制造方法；

12～26 高頻裝置的制造方法的步驟；

30 高頻裝置的制造方法；

32～38 高頻裝置的制造方法的步驟；

100 基板；

102 緩沖層；

102’ 圖案化緩沖層；

104 導電層；

104’ 圖案化導電層；