[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710749648.2
• 申請(qǐng)日: 2017-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN107833914B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白川徹;田中裕之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L27/06
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 楊敏;金玉蘭

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

晶體管部，具有多個(gè)晶體管；

續(xù)流二極管部，在俯視所述晶體管部的情況下，所述續(xù)流二極管部至少與所述晶體管部的一邊對(duì)置，并且設(shè)置于所述晶體管部的外側(cè)；以及

柵流道部和柵襯墊部，在俯視所述晶體管部的情況下，所述柵流道部和柵襯墊部與所述晶體管部接觸地設(shè)置，并且不包圍所述晶體管部的整個(gè)外側(cè)，

在俯視所述晶體管部的情況下，所述續(xù)流二極管部連續(xù)地設(shè)置于所述晶體管部的外側(cè)、所述柵流道部的外側(cè)和所述柵襯墊部的外側(cè)，

所述續(xù)流二極管部為對(duì)矩形環(huán)狀的四邊之中的一邊切口而成的形狀。

2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

晶體管部，具有多個(gè)晶體管；

續(xù)流二極管部，在俯視所述晶體管部的情況下，所述續(xù)流二極管部至少與所述晶體管部的一邊對(duì)置，并且設(shè)置于所述晶體管部的外側(cè)；以及

柵流道部和柵襯墊部，在俯視所述晶體管部的情況下，所述柵流道部和柵襯墊部與所述晶體管部接觸地設(shè)置，并且不包圍所述晶體管部的整個(gè)外側(cè)，

在俯視所述晶體管部的情況下，所述續(xù)流二極管部連續(xù)地設(shè)置于所述晶體管部的外側(cè)、所述柵流道部的外側(cè)和所述柵襯墊部的外側(cè)，

所述續(xù)流二極管部設(shè)置在矩形環(huán)狀的四邊之中的不同方向的兩邊。

3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

晶體管部，具有多個(gè)晶體管；

續(xù)流二極管部，在俯視所述晶體管部的情況下，所述續(xù)流二極管部至少與所述晶體管部的一邊對(duì)置，并且設(shè)置于所述晶體管部的外側(cè)；以及

柵流道部和柵襯墊部，在俯視所述晶體管部的情況下，所述柵流道部和柵襯墊部與所述晶體管部接觸地設(shè)置，并且不包圍所述晶體管部的整個(gè)外側(cè)，

在俯視所述晶體管部的情況下，所述續(xù)流二極管部連續(xù)地設(shè)置于所述晶體管部的外側(cè)、所述柵流道部的外側(cè)和所述柵襯墊部的外側(cè)，

所述續(xù)流二極管部設(shè)置在矩形環(huán)狀的四邊之中的一邊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在俯視所述晶體管部的情況下，所述續(xù)流二極管部不設(shè)置于所述晶體管部的內(nèi)側(cè)。

5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

晶體管部，具有多個(gè)晶體管；

續(xù)流二極管部，在俯視所述晶體管部的情況下，所述續(xù)流二極管部至少與所述晶體管部的一邊對(duì)置，并且設(shè)置于所述晶體管部的外側(cè)；以及

柵流道部和柵襯墊部，在俯視所述晶體管部的情況下，所述柵流道部和柵襯墊部與所述晶體管部接觸地設(shè)置，并且不包圍所述晶體管部的整個(gè)外側(cè)，

所述半導(dǎo)體裝置還具備邊緣終端部，在俯視所述晶體管部的情況下，所述邊緣終端部位于所述續(xù)流二極管部的外側(cè)，

所述續(xù)流二極管部具有發(fā)射溝槽部，所述發(fā)射溝槽部的至少一部分與從所述邊緣終端部延伸的絕緣膜重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置還具備布線部，所述布線部與所述半導(dǎo)體裝置的外部電導(dǎo)通，并且在俯視所述晶體管部的情況下，所述布線部設(shè)置于所述晶體管部的內(nèi)側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置還具備：

半導(dǎo)體基板，設(shè)置有所述晶體管部和所述續(xù)流二極管部；以及

焊料層，與設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的背面的背面電極和所述半導(dǎo)體基板的側(cè)面直接接觸地設(shè)置，

所述半導(dǎo)體基板的厚度W與所述半導(dǎo)體基板的所述側(cè)面處的所述半導(dǎo)體基板的背面上的所述焊料層的高度T滿足W/2＜T的關(guān)系。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在俯視所述晶體管部的情況下，所述焊料層從所述半導(dǎo)體基板的所述側(cè)面向外側(cè)突出的突出長(zhǎng)度X與所述焊料層的高度T滿足T＜X的關(guān)系。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述續(xù)流二極管部具有延伸至所述邊緣終端部為止的n型陰極層。