[發(fā)明專利]一種肖特基極結(jié)構(gòu)、肖特基二極管及制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710749630.2
• 申請(qǐng)日: 2017-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN107492575B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱廷剛;張葶葶;李亦衡;王東盛;夏遠(yuǎn)洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/872
• 分類號(hào): H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi)

1.一種肖特基極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述肖特基極結(jié)構(gòu)包括：

N型半導(dǎo)體層；

第一P型半導(dǎo)體層，覆蓋于所述N型半導(dǎo)體層上；

第一N型半導(dǎo)體層或半絕緣型半導(dǎo)體層，覆蓋于所述第一P型半導(dǎo)體層上；

所述第一P型半導(dǎo)體層和所述第一N型半導(dǎo)體層或半絕緣型半導(dǎo)體層組合形成異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體層，所述異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體層設(shè)置有采用蝕刻工藝形成的貫穿溝道，所述貫穿溝道貫穿至所述第一P型半導(dǎo)體層中，或者貫穿至所述N型半導(dǎo)體層中距離所述N型半導(dǎo)體層上表面100納米以內(nèi)的位置；

陽(yáng)極金屬，所述陽(yáng)極金屬中間設(shè)置有與所述貫穿溝道相匹配的凸起部，所述陽(yáng)極金屬的邊緣部分連接在所述第一N型半導(dǎo)體層或半絕緣型半導(dǎo)體層上，所述陽(yáng)極金屬的凸起部穿過(guò)所述貫穿溝道連接在所述貫穿溝道的底部。

2.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陽(yáng)極金屬的邊緣與所述第一N型半導(dǎo)體層或半絕緣型半導(dǎo)體層接觸，所述陽(yáng)極金屬的凸起部的下表面與所述貫穿溝道的底部接觸，所述凸起部的側(cè)面與所述貫穿溝道的內(nèi)壁接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的一種肖特基極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述貫穿溝道底部設(shè)置有P型半導(dǎo)體凸起部，P型半導(dǎo)體凸起部的個(gè)數(shù)大于等于0。

4.一種肖特基二極管，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的肖特基極結(jié)構(gòu)，還包括：

高摻雜N型半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層下，與所述N型半導(dǎo)體層接觸；

陰極金屬，設(shè)置于所述高摻雜N型半導(dǎo)體層的上表面，與所述高摻雜N型半導(dǎo)體層形成歐姆接觸；

襯底，設(shè)置于所述高摻雜N型半導(dǎo)體層下，與所述高摻雜N型半導(dǎo)體層接觸。

5.如權(quán)利要求4所述的一種肖特基二極管，其特征在于，所述高摻雜N型半導(dǎo)體層的摻雜濃度高于所述N型半導(dǎo)體層。

6.一種如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的肖特基極結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在N型半導(dǎo)體層的上表面上設(shè)置出第一P型半導(dǎo)體層；

在所述第一P型半導(dǎo)體層的上表面上設(shè)置出第一N型半導(dǎo)體層或半絕緣型半導(dǎo)體層，得到所述肖特基極結(jié)構(gòu)的初始結(jié)構(gòu)；

從所述第一N型半導(dǎo)體層或半絕緣型半導(dǎo)體層的上表面開始蝕刻，蝕刻出貫穿溝道，所述貫穿溝道貫穿至所述第一P型半導(dǎo)體層中，或者貫穿至所述N型半導(dǎo)體層中距離所述N型半導(dǎo)體層上表面100納米以內(nèi)的位置；

將陽(yáng)極金屬的中間部分設(shè)置成與所述貫穿溝道相匹配的凸起部；

將所述陽(yáng)極金屬的邊緣部分連接在所述第一N型半導(dǎo)體層或半絕緣型半導(dǎo)體層上，所述陽(yáng)極金屬的邊緣部分與所述第一N型半導(dǎo)體層或半絕緣型半導(dǎo)體層接觸；

將所述凸起部穿過(guò)所述貫穿溝道連接在所述貫穿溝道的底部，所述凸起部的下表面與所述貫穿溝道的底部接觸，所述凸起部的側(cè)面與所述貫穿溝道的內(nèi)壁接觸。