[發明專利]鎂合金支架及其制備方法

在審

• 申請號: 201710749167.1
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN107496979A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 奚廷斐;劉婧;張志雄
• 申請（專利權）人: 江蘇灃沅醫療器械有限公司
• 主分類號: A61L27/04
• 分類號: A61L27/04;A61L27/34;A61L27/58
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 王樂

1.一種鎂合金支架，其特征在于，包括：

鎂合金基體；

第一聚硅氧烷層，附于所述鎂合金基體的表面；

第二聚硅氧烷層，附于所述第一聚硅氧烷層上；

以及聚合物層，附于所述第二聚硅氧烷層上。

2.根據權利要求1所述的鎂合金支架，其特征在于，所述第一聚硅氧烷層由第一硅氧烷制成；所述第一硅氧烷為1，2-雙(三乙氧基硅基)乙烷；

所述第二聚硅氧烷層由第二硅氧烷制成；所述第二硅氧烷選自γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、或N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷中的一種或幾種。

3.根據權利要求1所述的鎂合金支架，其特征在于，所述聚合物層中的聚合物選自聚乳酸、聚乳酸-羥基乙酸、聚己內酯、聚三亞甲基碳酸酯、聚乳酸-三亞甲基碳酸酯共聚物、聚己內酯-三亞甲基碳酸酯共聚物、聚羥基乙酸中的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的鎂合金支架，其特征在于，所述第一聚硅氧烷層的厚度為1μm～10μm；所述第二聚硅氧烷層的厚度為0.5μm～3μm；所述聚合物層的厚度為10μm～40μm。

5.根據權利要求1-4任一項所述的鎂合金支架，其特征在于，所述鎂合金基體的材質選自Mg-RE系列合金、WE系列合金、AZ系列合金、AM系列合金、ZK系列合金、ZM系列合金、Mg-Li系列合金、或Mg-Ca系列合金。

6.一種鎂合金支架的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供鎂合金基體；

在所述鎂合金基體的表面形成第一聚硅氧烷層；

在所述第一聚硅氧烷層上形成第二聚硅氧烷層；

在所述第二聚硅氧烷層上形成聚合物層。

7.根據權利要求6所述的鎂合金支架的制備方法，其特征在于，在形成第一聚硅氧烷層之前，還包括對鎂合金基體的表面進行羥基化處理。

8.根據權利要求6所述的鎂合金支架的制備方法，其特征在于，形成所述第一聚硅氧烷層包括：

將第一硅氧烷與水解液混合，水解形成第一接枝劑；

將所述第一接枝劑涂覆于所述鎂合金基體的表面，固化形成第一聚硅氧烷層。

9.根據權利要求8所述的鎂合金支架的制備方法，其特征在于，所述水解液包括水和有機溶劑；所述有機溶劑選自二氯甲烷、三氯甲烷、甲醇、乙醇、或丙酮中的一種或幾種。

10.根據權利要求8所述的鎂合金支架的制備方法，其特征在于，在水解液中，所述有機溶劑與水的體積比為10:1～10:0.1(v/v)。