[發(fā)明專利]一種Si自離子注入硅基材料改善發(fā)光性能的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710748000.3
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN107611023B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設計）人: 王茺;歐陽凌曦;周蒙薇;王榮飛;楊杰;邱鋒;楊宇
• 申請（專利權）人: 云南大學
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/322;H01L21/324
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Si自離子注入硅基材料改善發(fā)光性能的方法，其特征在于：

步驟為：

(1)使用Shiraki標準清洗法對硅基材料進行清洗，硅基材料為p型Si基片硅薄膜、SOI基片頂層硅薄膜；

(2)在硅基材料Si薄膜利用離子注入機進行3-5次能量Si自離子注入，能量為50KeV～250KeV，每次注入能量依次減小，每次注入相同劑量，劑量為1×10¹³cm^-2～1×10¹⁶cm^-2；

(3)對自注入后的p型Si基片進行常規(guī)退火處理，退火溫度為600℃～900℃，退火時間為30～60min；對自注入后的SOI基片進行快速熱退火處理，退火溫度為300℃～500℃，退火時間為30～90s。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種Si自離子注入硅基材料改善發(fā)光性能的方法，其特征在于，所述硅基材料為p型Si基片硅薄膜、SOI基片頂層硅薄膜，其中p型Si基片硅薄膜晶向為[100]，厚度675μm，純度為99.999％、電阻率為10Ω·cm；SOI基片頂層硅薄膜為[100]晶向，p型單晶，厚度210nm，純度為99.999％、電阻率為10Ω·cm，中間層是340nm厚的SiO₂，底層為厚度為675μm的單晶Si。