[發明專利]一種高頻脈沖節能充放電源及充放控制方法在審
| 申請號： | 201710747964.6 | 申請日： | 2017-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN107394866A | 公開（公告）日： | 2017-11-24 |
| 發明（設計）人： | 楊立杰;俞玉春;王鴻;周彬浩;趙曉明;吳尚 | 申請（專利權）人： | 蘇州易德龍科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/04 | 分類號： | H02J7/04;H02J7/02 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103 | 代理人： | 范晴,丁浩秋 |
| 地址： | 215200 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高頻 脈沖 節能 電源 控制 方法 | ||
1.一種高頻脈沖節能充放電源，包括與輸入模塊連接的AC/DC模塊，其特征在于，所述AC/DC模塊并聯逆變模塊，所述AC/DC模塊連接拓撲模塊，所述拓撲模塊連接負載模塊，所述拓撲模塊還連接采樣模塊和控制模塊，所述控制模塊連接采樣模塊和上位機；
所述上位機，用于調控工作參數；
所述采樣模塊，用于采集充電和放電回路的工作電流，得到反饋信號；
所述控制模塊，根據采樣得到的反饋信號和上位機預設的工作參數控制拓撲模塊切換充放電回路，對高頻信號進行調整，改變工作參數；
所述拓撲模塊，包括升壓電路和降壓電路。
2.根據權利要求1所述的高頻脈沖節能充放電源，其特征在于，所述拓撲模塊至少包括兩個碳化硅MOSFET，所述兩個碳化硅MOSFET分別在漏極、源極兩端反向并聯肖特基二極管，功率電感的一端連接于兩個肖特基二極管之間，另一端連接負載模塊，所述兩個碳化硅MOSFET分別連接控制模塊。
3.根據權利要求1所述的高頻脈沖節能充放電源，其特征在于，所述上位機還用于實時顯示電源的工作狀態，調控充電和放電時間的比例。
4.一種基于權利要求2所述的高頻脈沖節能充放電源的充放控制方法，其特征在于，包括以下步驟：
S01：控制模塊根據上位機預設的工作參數，發出高頻信號驅動拓撲模塊的工作電路；
S02：當充電回路工作時，輸入模塊提供輸入電壓經AC/DC模塊轉換變成直流電壓；
S03：控制模塊用高頻信號驅動其中一個碳化硅MOSFET，將拓撲模塊導通BUCK電路，直流電壓通過Buck電路對負載模塊充電；
S04：當放電回路工作時，控制模塊用高頻信號驅動另一碳化硅MOSFET，將拓撲模塊導通Boost電路，通過Boost電路以及逆變模塊，將釋放的電能反饋至輸入模塊，對電能進行回收；
S05：通過采樣模塊采樣充電和放電回路的工作電流，產生反饋信號，傳輸至控制模塊，控制模塊根據上位機設定的工作參數和采集模塊得到的反饋信號調整高頻信號和拓撲模塊的工作電路，使電源穩定工作。
5.根據權利要求4所述的充放控制方法，其特征在于，通過上位機實時顯示電源的工作狀態，調控充電和放電時間的比例。
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