[發(fā)明專利]封裝薄膜、電子裝置及其制備方法

有效

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• 申請日: 2017-08-25
• 公開（公告）號: CN109427991B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱佩;曹蔚然
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

本發(fā)明公開了一種封裝薄膜和電子裝置及其制備方法。本發(fā)明封裝薄膜包括氮化物陶瓷膜層、在所述氮化物陶瓷膜層上形成的第一氧化物陶瓷膜層和在所述第一氧化物陶瓷膜層上形成的第二氧化物陶瓷膜層。本發(fā)明電子裝置包括用于封裝電子元件的本發(fā)明封裝薄膜。本發(fā)明封裝薄膜通過氮化物陶瓷膜層與兩層氧化物陶瓷膜層構(gòu)成復(fù)合封裝膜層結(jié)構(gòu)，其阻隔水氧作用優(yōu)異，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，保證了電子裝置電化學(xué)性能的穩(wěn)定，延長了工作壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于包封膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種封裝薄膜、包含所述封裝薄膜的電子裝置和其制備方法。

背景技術(shù)

封裝薄膜可以用于保護(hù)對外部因素如水分或氧氣敏感的電子元件(如二極管)、太陽能電池或者二次電池。

電子元件的壽命是非常重要的一項(xiàng)參數(shù)。提高電子元件的壽命，使其達(dá)到商用水平，封裝是至關(guān)重要的一個環(huán)節(jié)。對于電子元件而言，封裝不僅僅是防止劃傷等物理保護(hù)，更重要的是防止外界環(huán)境中水汽，氧氣的滲透。這些環(huán)境中的水汽滲透到器件內(nèi)部，會加速器件的老化。因此電子元件的封裝結(jié)構(gòu)必須具有良好的滲透阻擋功能。

當(dāng)前，商用的電子元件的封裝技術(shù)正從傳統(tǒng)的蓋板式封裝向新型薄膜一體化封裝發(fā)展。相對比于傳統(tǒng)的蓋板封裝，薄膜封裝能夠明顯降低器件的厚度與質(zhì)量，約節(jié)省50％的潛在封裝成本，同時薄膜封裝能適用于柔性器件。薄膜封裝技術(shù)將是發(fā)展的必然趨勢。如在歐司朗OLED有限責(zé)任公司的一份專利中公開了采用膜層封裝，具體是采用有機(jī)或無機(jī)封裝層，并在膜層封裝層外表面還增設(shè)一金屬層。因此，根據(jù)其封裝層的作用，其主要起到將熱傳遞至金屬層以便散熱。而且其沒有具體公開有機(jī)或無機(jī)為何種材料以及形成的工藝條件。

雖然陶瓷膜具有良好的水、氧阻隔性，良好的階梯型覆蓋以及極佳的厚度均勻性，可以嘗試用于電子元件封裝阻擋層材料，但是，在生成陶瓷薄膜的過程中缺陷(針孔、裂紋等)會不可避免地產(chǎn)生，缺陷的存在大大降低了其阻隔能力。同時陶瓷膜會產(chǎn)生較大的應(yīng)力，嚴(yán)重影響封裝質(zhì)量。另外，當(dāng)設(shè)置多層多層陶瓷膜本體結(jié)構(gòu)時，熱膨脹系數(shù)的差異，使得多層陶瓷膜在疊加時容易產(chǎn)生兼容性的問題，進(jìn)而影響封裝薄膜質(zhì)量。

因此，如何提高電子元件如電子元件的封裝效果目前本行業(yè)一直在努力解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的所述不足，提供一種封裝薄膜，以解決現(xiàn)有如采用陶瓷作為封裝薄膜質(zhì)量不穩(wěn)定，而且水氧阻隔能力差的技術(shù)問題。

本發(fā)明另一目的在于提供一種電子裝置和其制備方法，以解決現(xiàn)有電子裝置由于封裝構(gòu)件水氧阻隔性差，結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定等因素造成的電子裝置性能穩(wěn)定性差，壽命不理想的技術(shù)問題。

為了實(shí)現(xiàn)所述發(fā)明目的，本發(fā)明一方面，提供了一種封裝薄膜。所述封裝薄膜，所述第一氧化物陶瓷膜層表面包括：

氮化物陶瓷膜層；

在所述氮化物陶瓷膜層上形成的第一氧化物陶瓷膜層；和

在所述第一氧化物陶瓷膜層上形成的第二氧化物陶瓷膜層。

本發(fā)明另一方面，提供了一種電子裝置，所述電子裝置包括：

襯底；

在襯底上形成的電子元件；和

本發(fā)明封裝薄膜，所述封裝薄膜封裝所述電子元件；

其中，所述氮化物陶瓷膜層設(shè)置在所述襯底和/或電子元件表面；

所述第一氧化物陶瓷膜層層疊結(jié)合在所述氮化物陶瓷膜層表面；

所述第二氧化物陶瓷膜層層疊結(jié)合在所述第一氧化物陶瓷膜層表面。

本發(fā)明又一方面，提供了一種電子裝置的制備方法。所述電子裝置的制備方法包括如下步驟：

提供基材，所述基材包括襯底和設(shè)置于所述襯底上的電子元件；